(c) (d)
(e)
图P3.3 解：(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大； (2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小； (3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。
3.4电路如图P3.l (a) (b)所示，晶体管的β均为150 , rbe均为2k?，Q点合适。求解Au、
Ri和Ro。
解：在图(a)所示电路中
?1? ∵Au1??rbe2?R1??2??1；Au2?23?225；
rbe2rbe1∴Au?Au1?Au2??225
Ri?R1//R2//rbe1?1.35k?； Ro?R3?3k?。
在图(b)所示电路中 ∵Au1???1?(R1//rbe2)rbe1??136；Au2???2R4rbe2??75
∴Au?Au1?Au2?10200
Ri?(R5?R2//R3)//rbe1?2k?； Ro?R4?1k?
3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示，晶体管的β均为200 , rbe均为3k?。场效应管的gm为15mS ; Q 点合适。求解Au、Ri和Ro。
解：在图(c)所示电路中 Au1???1?(R3/r/berbe12)?R??125；Au2??24??133.3
rbe2 Au?Au1?Au2?16666.7；Ri?R1//rbe1?3k?； Ro?R 4?2k? 在图(e)所示电路中
Au1??gm{R2//[rbe?(1??)R4]}??gmR2??30Au2??(1??)R4?1
rbe?(1??)R4Au?Au1?Au2??30； Ri?R1?10M?； Ro?R4//
rbe?R2?25?1??
rbb'?100?，UBEQ?0.7V。3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，
试求Rw的滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ以及动态参数Ad和Ri。
图P3.6 图P3.7
解：Rw 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ分析如下：
∵UBEQ?IEQ?RW?2IEQRe?VEE 2 ∴IEQVEE?UBEQ??0.517mA RW?2Re2 动态参数Ad和Ri分析如下： rbe?rbb'?(1??)26mV?5.18k? IEQ Ad???Rc??98
rbe?(1??)RW/2 Ri?2rbe?(1??)RW?20.5k?
3.7电路如图P3.7所示，T1和T2两管的β均为140，rbe均为4kΩ。试问：若输入直流
信号uI1?20mV，uI2?10mV，则电路的共模输入电压uIc??差模输入电压uId??输出动态电压?uo??
解：电路的共模输入电压uIC、差模输入电压uId、差模放大倍数Ad和动态电压?uO 分别为：uIC?uI1?uI2?15mV； uId?uI1?uI2?10mV 2Ad??
?Rc2rbe??175； ?uO?AduId??1.75V
3.8 电路如图P3.8所示，Tl和T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输入电阻。
图P3.8 图P3.9
解：差模放大倍数和输入电阻分别为：
?00 Ad??gmRd?2； Ri??。
3.9试写出图P3.9 所示电路Ad和Ri的近似表达式。设Tl和T2的电流放大系数分别为β1
和β2，b-e 间动态电阻分别为rbe1和rbe2。
解：Ad和Ri的近似表达式分别为
RL)2 Ad??； Ri?2[rbe1?(1??1)rbe2]
rbe1?(1??1)rbe2?1?2(Rc//
3.10电路如图P3.10 所示，Tl ~T5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e间动态电阻分别为rbe1~rbe5，写出Au、Ri和Ro的表达式。
图P3.10 图P3.11
解：Au、Ri和Ro的表达式分析如下： Au1?
?uO1?1{R2//[rbe4?(1??4)R5]}? ?uI2rbe1 Au2??uO2?{R//[r?(1??5)R7]}??46be5 ?uI2rbe4?(1??4)R5?uO3(1??5)R7? ?uI3rbe5?(1??5)R7?uOr?R6?Au1?Au2?Au3; Ri?rbe1?rbe2; Ro?R7//be5 ?uI1??5 Au3?∴Au?3.11 电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100 ，输入电压uI为正弦波，T2和T3
管的饱和压降UCES=1V 。试问：
(1)在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？ (2)若Ui= 10mV（有效值），则Uo＝？若此时R3开路，则Uo＝？若R3短路，则Uo＝？ 解：(1)最大不失真输出电压有效值为:Uom?VCC?UCES?7.78V 2故在不失真的情况下，输入电压最大有效值： Uimax?(2)Ui= 10mV ，则Uo＝1V（有效值）。
Uom?77.8mV Au若R3开路，则Tl和T3组成复合管，等效???1?3, T3可能饱和，使得UO??11V（直流）;若R3短路，则UO?11.3V（直流）。
第4章 集成运算放大电路
自测题
一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号 B.低频信号 C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻
(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路
二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。 (1)运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。( × ) (2)运放的输入失调电流IIO是两输入端电流之差。( √ ) (3)运放的共模抑制比KCMR?Ad。( √ ) Ac(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。( √ )
(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( × )
三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。各管的UBE均为0.7V , 试求IC2的值。 解：分析估算如下：
IR?VCC?UBE2?UBE1?100?A
R2IB0??IB02???IB0；
1??1??2????)IB01??
图T4.3
IB2?IR??IB0?IB2?(IC2??IB2??2???IB0。比较上两式，得 1??IC2??(2??)?IR?IR?100?A
2????(1??)四、电路如图T4.4所示。