CN=111111，并将CONTROL UNIT的开关SP05打在“NORM”状态， SP06打在“RUN”状态，SP03打在“STEP”状态，SP04打在“RUN”状态。然后按下图所示步骤进行。
数据开关（11000001）打开三态门寄存器DR1（11000001）数据开关（01000011）寄存器DR2（01000011）SW_G=0
首先使上面方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行，其中T4的正脉冲是通过按动一次CONTROL UNIT的触动开关START来产生的。
SIGNALT1T4TS1TS4LDDR1=1LDDR2=0T4=LDDR1=0LDDR2=1T4=ALU_GALU_GS3S2S1S0MCNARLDDR1LDDR2ALUD0..JD1.D7S3S2S1S0MCNARLDDR1LDDR24、验证带进位运算及进位锁存功能。
进行带进位算术运算：前面的操作已经向DR1、DR2置数，然后关闭数据输入三态门（SW_G=1）并使LDDR2=0，打开ALU输出三态门（ALU_G=0），使ALU单元的输出结果进入总线，当S3 S2 S1 S0 M CN的状态为100101时，DATA BUS指示灯显示的数据为DR1加DR2加当前进位标志得到的结果。这个结果是否产生进位，则要使AR=0，然后按动触动开关START，若进位标志灯CY仍然亮，表示无进位；若进位标志灯CY灭，表示有进位。
六、实验报告：
记录实验数据，并总结收获。
七、思考题：
1、74LS181能提高运算速度的原因是什么？
2、在定点二进制运算器中，减法运算一般通过什么方式实现？
接到DATA BUSSWITCHINPUTSW_GSW_G
图2 进位控制实验接线图
实验三 移位运算实验
一、实验目的：
验证移位控制的功能。
二、实验内容：
1、使用一片74LS299来实现移位控制。
三、实验仪器：
1、计算机组成原理教学实验箱 一台 2、排线 若干
四、实验原理：
移位运算实验中使用了一片74LS299作为移位发生器，其八位输入/输出端以排针方式和总线单元连接。299_G信号控制其使能端，T4时序为其时钟脉冲，由S1 S0 M控制信号控制其功能状态，列表如下：
表1-3 74LS299功能表
299_G 0 0 0 0 0 任意
S1 0 1 1 0 0 1 S0 0 0 0 1 1 1 M 任意 0 1 0 1 任意 功能 保持 循环右移 带进位循环右移 循环左移 带进位循环左移 装数 五、实验步骤及注意事项
1、按图1-5连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。（图中箭头表示需要接线的地方，接总线和控制信号时要注意高低位一一对应，可用彩排线的颜色来进行区分）
SIGNALT4TS4ALU299_GD0.JD2..D7SWITCH299_G2、按照如下步骤用INPUT UNIT的二进制数据开关把数据写入74LS299：
首先使各个控制电平的初始状态为：299_G=1，SW_G=1，S1 S0 M =111，CLR= l→0→1，并将控制台单元的开关SP05打在“NORM”状态，SP06打在“RUN”状态,SP03打在“STEP”状态，SP04打在“RUN”状态。然后按下图所示步骤进行。
数据开关（ 00000011） 打开三态门置数(00000011)S0=1S1=1T4=关闭三态门
上面方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行，其中T4的正脉冲是通过按动一次CONTROL UNIT的触动开关START来产生的。
3、参照前面的表格1-3，改变S0 S1 M 299_G的状态，按动触动开关START，观察移位结果。
六、实验报告：
参照前面的表格1-3，观察并记录移位结果。
七、思考题：
1、本实验用的移位发生器是什么？其功能表是什么？
接到DATA BUSS3S2S1S0MCNS3S2S1S0MCNINPUTSW_GSW_G 图1-5 移位运算实验接线图
SW_G=0SW_G=1
实验四 存储器实验
一、实验目的：
1、掌握静态随机存储器RAM工作特性。
2、掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。
二、实验内容：
1、用静态随机存储器RAM进行单步读、写和连续写数据。
三、实验仪器：
1、计算机组成原理教学实验箱 一台 2、排线 若干
四、实验原理：
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1-6所示，实验中的静态存储器由一片6116（2Kx8）构成，其数据线接至数据总线，地址由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯LI01—LI08与地址总线相连，显示地址内容。INPUT单元的数据开关经一三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。 D01D77D76116D0MEMORYA7A0A8A9A10/OE/WECS11LI01CEW/RADDRESS LEDLI08A7A074LS273(AR)D7D0DATA BUSCLKCLRCLR231T3LDAR 图1-6 存储器实验原理图 地址总线为8位，接入6116的地址A7—A0，将6116的高三位A8－A10接地，所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、/WE（写线）。本实验中将OE常接地，在此情况，当CE=0、WE=0时进行写操作，CE=0、WE=1时进行读操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。 实验时，将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插针中，其它电平控制信号由“SWITCH”单元的二进制开关给出，其中SW_G为低电平有效，LDAR为高电平有效。
五、实验步骤及注意事项：
1、形成时钟脉冲信号T3，具体接线方法和操作步骤如下： （1） 将SIGNAL UNIT中的CLOCK和CK，TS3和T3用排线相连。
（2） 将SIGNAL UNIT中的两个二进制开关 “SP03”设置为“RUN”状态、“SP04”设置为“RUN”状态（当“SP03”开关设置为“RUN”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时，每按动一次触动开关START，则T3的输出为连续的方波信号。当“SP03”开关设置为“STEP”状态、“SP04”开关设置为“RUN”
状态时，每按动一次触动开关START，则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。） 2、按图1-7连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。（图中箭头表示需要接线的地方，接总线和控制信号时要注意高低位一一对应，可用彩排线的颜色来进行区分）
CLOCKCKT3SIGNALTS3接到DATA BUSCEWECEWED0...D7SWITCHMEMA0...A7接到ADDR BUSSW_GSW_GINPUTLDARLDARADDRESS
图1-7 存储器实验接线图
3、给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、22、33、44、55，具体操作步骤如下：（以向00号单元写入11为例）
首先使各个控制电平的初始状态为：SW_G=1，CE=1，WE=1，LDAR=0，CLR= l→0→1，并将CONTROL UNIT的开关SP05打在“NORM”状态，然后按下图所示步骤进行。图中方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行，其中T3的正脉冲是通过按动一次CONTROL UNIT的触动开关START来产生的，而WE的负脉冲则是通过让SWITCH单元的WE开关做l→0→1变化来产生的。
数据开关(00000000)打开三态门地址寄存器AR(00000000)数据开关(00010001)SW_G=0LDAR=1T3=SW_G=1LDAR=0打开三态门存储器RAM(00010001)SW_G=0CE=0WE=
4、依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，在DATA BUS单元的指示灯上进行显示，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下：（以从00号单元读出11数据为例） 其中AR的值在ADDR BUS单元的指示灯上显示，RAM相应单元的值在DATA BUS单元的指示灯上显示。