③ 进行测量
实验数据 频率 0.8 0.9 回损 -20.91 -25.463 驻波 1.196 1.113 支路1插损 -3.056 -3.309 支路1相移 -148.6 -167.68 支路2插损 -3.074 -3.06 支路2相移 -148.02 -167.072 隔离度s12 -24.17 -30.217 隔离度s21 -23.72 -29.935 频率 回损 驻波 支路1插损 支路1相移 支路2插损 支路2相移 隔离度s12 隔离度s21 1 -26.655 1.098 -3.042 172.935 -3.066 137.692 -33.856 -33.8 1.1 -23.932 1.136 -2.982 153.876 -3.003 154.767 -23.873 -27.825 1.2 -21.979 1.173 -2.957 134.398 -2.977 135.36 -24.53 -24.293 1.3 1.4 -21.29 -21.325 1.189 1.188 -2.92 -2.941 115.387 95.183 -2.937 -2.96 116.353 96.126 -22.413 -21.72 -22.403 -21.732 1.5 -22.043 1.172 -3.032 75.567 -3.05 76.6 -22.132 -22.105 1.6 -22.947 1.153 -3.059 55.61 -3.097 56.723 -24.453 -23.58 1.7 1.8 -24.182 -25.259 1.132 1.116 -3.073 -3.102 36.5 16.927 -3.115 -3.134 37.66 18.25 -26.77 -31.549 -26.54 -31.531 1.9 2 -25.907 -25.48 1.107 1.112 -3.155 -3.116 -2.4 -22.26 -3.202 -3.167 -0.953 -20.645 -32.82 -28.24 -32.75 -27.98 四．作业
设计一微带结构的威尔金森功分器，指标要求： 中心频率：2.45GHz 带宽：60MHz
输出端口功率比：2：1
频带内输入端口的回波损耗：S11<-20dB，S22<-20dB ，S22<-20dB 隔离度：S32<-25dB 板材参数：
H:基板厚度(1.5 mm)，Er:基板相对介电常数(2.65) Mur:磁导率(1)，Cond:金属电导率(5.88E+7)
Hu:封装高度(1.0e+33 mm)，T:金属层厚度(0.035 mm) TanD:损耗角正切(1e-4)，Roungh:表面粗糙度(0 mm) 原理图
原理图仿真
S32>-25dB，没有达到指标要求，还需进一步优化。
功分器版图：版图仿真结果
优化仿真结果
结果分析：
优化之后结果达到指标要求：S11<-20dB，S22<-20dB ，S21<-3.1dB，S32<-25dB。