解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如解图P2.14所示。
解图P2.14
2.15已知图P2.15(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
第二章题解－16
?、Ri和Ro 。 （2）利用等效电路法求解Au 图P2.15
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.15（a）所示。
解图P2.15
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.15（b）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
第二章题解－17
gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)???gR??5 AumDIDSSIDQ?1mA/V Ri?Rg?1M? Ro?RD?5k?
2.16 已知图P2.16（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。
?。 求解电路的Q点和Au
图P2.16
解：（1）求Q点：
根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA
因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。
（2） 求电压放大倍数：
gm?2UGS(th)IDQIDO?2mAV
???gR??20AumD
？2.17电路如图P.17所示。
（1）若输出电压波形底部失真，则可采取那些措施？若输出电压顶部失真，则可采取那些措施？
（2）若想增大AU ,则可采取那些措施？ 解： （1）VGS?
R2VDD若底部失真，说明Q点过高，可减小R2，增大R1R1?R2第二章题解－18
降低Q点；若顶部失真，说明Q点过低，可增大R2，减小R1提高Q点。
（2）若想增大AU，增大
R2以提高
IDQ从而增大gm，增大Rd
图2.17
2.18 图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型??）及管脚（b、e、c、d、g、s）。
图P2.18
解：（a）不能。 （b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 （d）不能。 （e）不能。
（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成发射极。
NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为
第二章题解－19