文件名稱：LED CHIP IQC檢驗規範 文件編號：QGI0909 版 本：R5
擬案單位：工程部／ALLAN
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1. 目的 2. 範圍 3. 內容
3.1 檢驗測試項目
3.1.1 3.1.2 3.1.3
光電性檢驗 外觀檢驗 數值標示檢驗。
本公司生產之所有LED產品均屬之。 1.1 制訂LED CHIP FQC檢驗規範。
1.2 訂定成品入庫批允收程序，以確保產品品質達一定水準。
3.2 抽樣計畫（片數定義：晶片片數）
3.2.1 3.2.2
依「產品檢驗抽樣計劃」(WI-20-0101) 抽片執行檢驗。 光電特性檢驗（VFH、VFL、IV）
（1）抽樣位置：分頁片邊緣4顆，分頁片內圍6顆，均勻取樣。 （2）抽樣數量：每片10顆。
（3）每片抽樣數，每一顆不良，則列一個缺點。
外觀檢驗
3.2.3
（1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一個缺點。
（2）NS TYPE或PS TYPE分頁面積最長距離＜6.5 cm者，不良晶粒＞
5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一個缺點。
（3）缺點項目之限樣標準由製造、FQC兩單位共同製作，作為人員檢驗之依據。
3.3 缺點等級代字
3.3.1 3.3.2
主要缺點代字：MA（Major）。 次要缺點代字：MI（Minor）。
3.4 參考文件
3.4.1
本公司產品目錄規格書
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3.4.2 3.4.3
研發工程產品測試分類規格 其他相關之品質文件
4. 光電特性檢驗
4.1 順向電壓VFH
4.1.1 4.1.2
依特定之額定電流點測，頇低於規格上限。
規格上限應參考測試分類規格及GaP、GaAsP、AlGaAs產品T/S前測站
作業指導書。
缺點等級：MA
4.1.3
4.2 順向電壓VFL
4.2.1 4.2.2
依特定之額定電流點測，頇高於規格下限，低於上限。
規格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，AlGaAs (1.25≦VFL≦1.5V)，IR
(0.70~1.0 V)。
缺點等級：MI
4.2.3
4.3 亮度Iv / Po
4.3.1 4.3.2 4.3.3
依特定之額定電流點測，頇高於規格下限。
規格下限應參考測試分類規格及各產品T/S前測站作業指導書判定。 缺點等級：MA
5. 外觀檢驗﹙共同標準﹚
檢驗項目 說 明 圖 示 5.1 晶粒厚度 5.1.1 同一晶片晶粒厚度差≦2 mil 5.1.2 UR同一晶片晶粒厚度差≦3 mil 缺點等級 MA 電極 5.2 正面電極 5.2.1 電極中心點1/3半徑範圍內，不得有任何異常 MA (不含刮傷) R/3 5.2.2 電極破損、鋁泡（金泡）、非化學藥水污染(沾膠 MA 、雜物、矽膠粒、Ink…)、重工造成之金屬殘印子 (如殘鈦)面積應≦1/5原電極面積。 5.2.3 電極刮傷自動用PS應≦1/5原電極面積 材質：AlGaInP適用 ab MA MA MI MA 5.2.4 電極擴大縮小：0.9倍＜原訂值φ＜1.1倍 5.2.5 二道偏移應≦1.1倍 5.2.6 電極偏移 a/b≦2/1
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5.2.7 電極不得有鋁黃、 藥水污染 5.2.8 自動用PS電極不得有粗糙程度不一致影響機器辨視 5.2.9 長腳電極斷裂應≦1隻腳面積 Power Chip(524,540相關產品)Pad不可形成掉腳 5.2.10 長腳電極縮小寬度(B)應≦1/2原寬度(A) MA MA MA MA A B 5.3 正面晶粒 5.3.1 晶粒污染、沾膠、藥水殘需≦1/5 發光區面積 5.3.2 全切晶粒未切穿者不作PS （半切晶粒及手動用NS之未切穿面積應≦1/5 原晶粒面積） 5.3.3 晶粒切割內斜需≦1/10 原晶粒面積 MA MA MA 5.3.4 晶粒不得為長方形 |b/a|≧90% 檢驗項目 說 明 5.3 正面晶粒 5.3.5 電極周圍未粗化到的月眉形區域，最寬處頇 ≦1 mil 5.3.6 發光區傷到面積 ?自動用(PS)應≦1/5發光區面積 ?手動用(NS)A/B≦2/1 5.3.7 發光區金屬殘餘應≦1/5電極面積 5.3.8 發光區刮傷應≦1/5原發光面積且刮傷寬度應 ≦10μm / line 5.3.9 SR, DR, UR氧化層膜脫落面積 ?一般規格(NX、NL、PX)應≦1/2原發光區面積 ? 均勻性規格及自動用(PS)應≦1/5原發光區面積 (PD、ND、PM) 5.3.10 脫離電極之鋁(金)線長度應?1/2電極長度 5.3.11正崩 ?正面損傷、暗傷面積應≦1/5單邊長界限內 ?均勻性產品不得有暗傷 5.4 背面電極 背面電極總面積需≧1/2 應有總面積 5.5 背面晶粒 5.5.1 背面晶粒污染面積應≦1/2 原晶粒面積 5.5.2 背面損傷面積應≦1/5 原晶粒面積 5.5.3 GaP產品8mil背崩面積應≦1/3原晶粒面積 5.5.4 TK508SRT,UYT背崩面積應≦1/2 原晶粒面積 5.6 晶粒排列 5.6.1 同一排晶粒排列歪斜需≦1顆晶粒 b a 圖 示 MA 缺點等級 MA A B MA MA MA MA MA MA 1 chipMA MA MA MA
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5.6.2 相鄰之晶粒，排列不齊需≦1/2 晶粒 1/2 chip MA 5.6.3 晶粒角度不正≦±30° MA 5.6.4 晶粒傾倒≦2ea/sheet MA 5.6.5 晶粒間距自動用PS不得超過 0.5 ~ 1.0 倍 晶粒寬，手動用NS不得超過 0.5~1.2 倍晶粒寬 0.5~1.0 MI 0.5~1.2 垂垂采采糴糴 (PS) (NS) 5.6.6 晶粒排列自動用PS ? 空洞超過5 ea ×5 ea應≦2處/sheet (含晶片外圍有 凹洞者) 5×5MA ?空洞率應≦20% ? 補洞應單邊每顆補齊，不得歪斜。 ? 5.7 分頁 5.7.1 自動用PS：分頁面積最長距離應≦ 8.5 cm 8.5 cm MA 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.7 分頁 5.7.2 手動用NS MA ?分頁面積最長距離應≦4.5 cm 4.5cm?8 mil SR、NR分頁面積最長距離應≦3.5 cm 5.7.3 分頁晶粒距TAPE邊緣應≧4.5 cm MA 4.5cm 5.7.4外圍眉形產品、次級品，可併片。 MA PS併片規格： 併片片數：應≦3片 每片間隔：14Mil以下應6+2mm 16Mil以上應7~9mm 單片數量：≦12Mil(每小片至少1000ea) ≧14Mil及112UR(每小片至少500ea) 116IRS≧0.5K 其它IR≧1K 晶粒方向：以平行為原則 併片限制：同片始可併片 編 碼：同一般 實施項目：YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、YG 5.7.5 手動用分頁片數量 MA ?手動用（NS）≧1 Kea ?四次元16 mil以上(含)應≧0.5 Kea 自動用分頁片數量 ?IR系列、UR產品應≧1 Kea。 ?四次元產品8~10 mil應≧2 Kea，11~14 mil 應≧1 Kea，16 mil以上(含)應≧0.5 Kea ?其餘產品應≧3 Kea 5.7.6 外圍分頁片數量≧400 ea，PS≧1/4圓片 MA 5.8 TAPE 5.8.1 不得有毛屑、污漬、多餘之零散晶粒 MA 5.8.2 不得有破損、刮傷 MA 5.8.3 不得有明顯之晶粒、隔板痕跡 MA 5.8.4 晶粒與晶粒間不得有 tape 的膠絲殘餘 MA 文件名稱：LED CHIP IQC檢驗規範 文件編號：QGI0909 版 本：R5
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5.9 對比 5.10 MESA 頁碼：5/5
5.9.1 自動用(PS)晶粒，電極與發光區對比要明顯 5.9.2 四次元產品掉ITO者為良品 5.10.1 自動用((PS)MESA晶粒，單邊邊長應≧7 mil 5.10.2 UR產品單邊邊長應≧5 mil MA MA 6. 數值標示檢驗 檢驗項目 6.1 標籤 6.2 計數包裝 說 明 6.1.1 品名、批號要與產品符合 6.1.2 數量標籤，與品質標籤之標示值、片號要一致 6.1.3 廠商特殊規格標示值檢驗 6.2.1 計數每小盒應≦45片 缺點等級 MA MA MA MI