电子电力课后习题答案（全）
第一章 电力电子器件
1.1 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK >0且UGK>0
1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
1解：a) Id1=2????4?4Imsin(?t)?Im2(?1)?0.2717Im2?2
I1=
12?2??(Imsin?t)d(wt)?Im31??0.4767Im242?
1 b) Id2=?1???4Imsin?td(wt)?Im2(?1)?0.5434Im22
I2=?2(Imsin?t)d(wt)???4?2Im31??0.6741Im242??
1 c) Id3=2?1 I3=2???20Imd(?t)?1Im4 1Im2
?20Im2d(?t)?
1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?
解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知
?I?329.350.4767A, Id1?0.2717Im1?89.48A I?232.90A,0.6741 Id2?0.5434Im2?126.56A
a) Im1
b) Im2
?1Im3?78.5c) Im3=2I=314 Id3=4
1.5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益?1和?2，由普通晶阐管的分析可得，?1??2?1是器件临界导通的条
1?两个等效晶体管过饱和而导通；?1??2＜1不能维持饱和导通而关断。 件。?1??2＞ GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
l)GTO在设计时?2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；
2)GTO导通时?1??2的更接近于l，普通晶闸管?1??2?1.5，而GTO则为
?1??2?1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；
3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
1.6.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?
答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：
①一般在不用时将其三个电极短接；
②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； ③电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高； ④漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
1.7.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
答：IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，
这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
1.8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt,，减小器件的开关损耗。
RCD缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，Cs经Rs放电，Rs起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VDs从Cs分流，使du/dt减小，抑制过电压。
1.9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。 解:对ⅠGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优点 开关速度高，开关损缺点 开关速度低于电力耗小，具有耐脉冲电流冲MOSFET，电压,电流容量击的能力，通态压降较不及GTO 。 低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。 GTR 耐压高，电流大，开饱和压降低。 GTO 电压、电流容量大，开关速度低，为电流驱动电路复杂，存在二次击穿问题。 电流关断增益很小，适用于大功率场合，具有关断时门极负脉冲电流电导调制效应，其通流能大，开关速度低，驱动功力很强。 电力MOSFET 开关速度快，输入阻率大，驱动电路复杂，开关频率低。 电流容量小，耐压抗高，热稳定性好，所需低，一般只适用于功率不驱动功率小且驱动电路超过10kW的电力电子装简单，工作频率高，不存置。 在二次击穿问题。
1.10什么是晶闸管的额定电流？
答：晶闸管的额定电流就是它的通态平均电流，国标规定：是晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温所允许的最大工频正弦半波电流的平均值。
1.11为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt?
答：正向电压在阻断状态下，反向结J2相当的一个电容加在晶闸管两端电压上升率过大，就会有过大的充电电流，此电流流过J3，起到触发电流的作用，易使晶闸管误触发，所以要限制du/dt。
1.12．为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt?
关特性好，通流能力强，驱动，所需驱动功率大，答：在晶闸管导通开始时刻，若电流上升过快，会有较大的电流集中在门集附近的小区域内，虽然平均电流没有超过额定值，但在小的区域内局部过热而损坏了晶闸管，所以要限制通态di/dt。
1.13电力电子器件工作时产生过电压的原因及防止措施有哪些？ 答：产生原因：
1、由分闸、合闸产生的操作过电压； 2、雷击引起的雷击过电压；
3、晶闸管或与全控型器件反并联的续流二极管换相过程中产生的换相电压。 措施：
压敏电阻，交流侧RC抑制电路，直流侧RC控制电路，直流侧RC抑制电路，变压器屏蔽层，避雷器，器件关断过电压RC抑制电路。
第2章 整流电路
2..1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L=20Mh，U2=100V，求当??0?时和60?时的负载电流Id，并画出Ud与Id波形。
解：??0?时，在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压U2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压U2的一个周期中下列方程成立：
Ldid?2U2sin?tdt
考虑到初始条件：当?t?0时id=0可解方程：
Id＝2U2（1－cos?t）?L
1Id?2???2?02U?（1－cos?t）d(?t)?L
2U2?22.51(A)?L
Ud与Id的波形如下图：
当a=60?时，在U2的正半周期60?~180?期间，晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在U2负半周期180?~300?期间释放，因此在U2的一个周期中60?~300?期间，下列微分方程成立：
Ldid?2U2sin?tdt
考虑到初始条件：当?t?60?时id=0可解方程得：
2U21（－cos?t)id=dt2
其平均值为
12?Id=
??5?332U212U2(?cos?t)d(?t)?＝11.25(A)?L22?L
此时Ud与id的波形如下图：
2. 2图1为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:
晶闸管承受的最大反向电压为22U2;
当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次侧绕组中，在正负半周上下绕组中的电流方向相反，波形对称，