这项设置有Disabled（关闭）、Max FSB（最大FSB）。Max FSB就是侦测当前用户设置的FSB，并侦测CPU可能执行的最高FSB，按最高FSB设置，然后重新启动，一般需要30秒。下面是起用Max FSB的超频实际效果。
（二）、内存相关部分
1、MEMORY-Z 内存条SPD信息
这是查看内存条SPD信息的，有助于了解内存条SPD参数。这个选项是二级菜单，回车进入：
插了2条内存，显示出了DIMM1和DIMM3，如果插4条内存，就会显示出4条内存。这也是二级菜单，敲回车进入SPD信息列表：
由于安装的内存是芝奇 F3-12800CL7D-4GBRM（2GBx2），支持XMP，SPD里面有XMP，所以还有XMP信息，敲回车查看XMP信息：
2、Current DRAM Channel 1/2 Timing 当前内存时序
这里显示的是内存条默认的时序参数。 3、DRAM Timing Mode DRAM时序模式
这里是设置内存的时序参数。DRAM时序设置模式有Auto和Manual，Auto就是由系统自动按SPD参数设置。Manual就是用户自己设置。
当选择了Manual后，这个选项下面的Advance DRAM Configuration（高级DRAM配置）就由灰色变亮，成为可设置的。
3-1、Advance DRAM Configuration 高级DRAM配置
回车进入内存时序配置，时序配置以“通道”为基础设置，也就是说2个通道分别设置。下面以通道1（CH1）为例对各项时序参数做简要说明。
T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。参数范围1-2。
CAS Latency（CL）：CAS（列地址选通）潜伏时间，指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围3-11。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围3-10。
tRP（Row precharge Delay）：内存行地址选通脉冲预充电时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围3-10。
tRAS(Row active Delay)：内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围5-20。 tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围30-110.tWR（Write Recovery Time）：写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可
以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围1-15。