理想：R>>RD,φ→0,Kd=1 实际例：
R=5.1kΩ,
RD=100Ω时：φ≈33,Kd≈0.84
o
o
R=4.7kΩ,RD=470Ω时：φ≈55,Kd≈0.55 通常取：Kd=0.5(-6dB)来估算检波器效率 (2)等效输入电阻 经推导：Ri=R/(2Kd) 理想：Kd=1时，Ri=R/2
实际：Kd<1 ，Ri更大(对前级有利)。 (3)非线性失真
原因： ①vs较小时，工作于非线性区； ②R较小时，RD的非线性作用↑。 解决：R足够大时，RD的非线性作用↓，R的直流电压负反馈作用↑。但R(RC)过大时，将产生：
(a)
惰性失真(τ跟不上v的变化)；
放
s
(b)负峰切割失真(交流负载变化引起)。 (a)惰性失真(图9-20 p247)
由图可见，不产生惰性失真的条件： v包络在A点的下降速率≤C的放电速率
s
即：
例：
广播收音机：R=3.9KΩ时
若：mmax=0.8, Fmax=5KHz
则：C≤5000pF
电视接收机：R=3.9KΩ时
若：mmax=0.8, Fmax=6MHz
则：C≤5pF
(b)负峰切割失真(交流负载的影响及m的选择)
负峰切割失真示意(图9-21 p248)
C为耦合电容(很大)
c
直流负载为：R
交流负载为：R=(RRL)/(R+RL)
交
∵C很大，在一个周期内，V(不变)≈V(Kd≈1时)
c
c
s
∴V=V=V[R/(R+RL)]
R
AB
c
由图：临界不失真条件： V=V-mV≈V-mV=V(1-m)
smin
c
s
s
s
s
m较大时，若VR>Vsmin,则产生失真。 则要求：
例：
m=0.3,R=4.7kΩ时，要求：R≥2kΩ；
L
m=0.8,R=4.7kΩ时，要求：R≥4.7kΩ；
L
即：m较大时，要求负载阻抗R较大(负载较轻)。
L
负峰切割失真的改进:
(1)(图9-22 p248)
R=R1+R2
直
R=R1+(R2RL)/(R2+RL)=R1+R'
交
交
即：
R1足够大时，R'的影响减小，不易负峰切割失真。但R1过大时，VΩ的幅度下降，一般取R1/R2=0.1~0.2
交
(2)检波电路后接射随(Ri大),即检波电路的RL大。
(3)晶体管和集成电路包络检波，为直接耦合方式，不存在Cc