考 试 试 卷 开课单位：电信学院 试卷编号： 201310127270-1 出题教师：胡鹰 学生姓名： 考试学年、学期： 2014-2015-1 试卷类型： A 专业：电信类各专业 行政班： 考试课程： 模拟电子学基础 试卷页数： 5 座位号： 学 号： 题号 得分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 一、填空题：（每空1分，共20分）
1.当环境温度升高时，三极管的电流放大倍数β ，穿透电源ICEO ，当IB不变时，发射结正向压降│UBE│ 。
2.当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 ；当PN结加反偏电压时，结区宽度将变 。
3.单级共射放大电路产生截止失真的原因是 ；产生饱和失真的原因是 ；若两种失真同时产生，其原因是 。
4.单级阻容耦合共射放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益 ，其输出与输入信号的相位差为 。
5.差分放大电路对 信号有放大作用，对 信号有抑制作用。 6.引用负反馈的放大电路，无反馈时增益A，闭环增益Af与反馈系数F三者的关系为 ，反馈深度是 ，深度负反馈的条件是 。
7.在交流放大电路中，引用直流负反馈的作用是 ；引用交流负反馈的作用是 。
8.在三极管多级放大电路中，已知Au1?30,Au2??20,Au3≈1，Au1是 放大器，Au2是 放大器，Au3是 放大器。 二、选择题（每小题2分，共10分）
1.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（ ）。
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考试课程：模拟电子学基础 专 业：电信类各专业
班 级： 学生姓名：
A、NPN硅管。 B、NPN锗管。 C、PNP硅管。 D、PNP锗管。
2.电路如图，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（ ）。
A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。
B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。 C、不影响静态工作点，只影响电压增益。 D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。
3.某场效应管的转移特性如图，则该管是（ ）。
A、P沟道增强型MOSFET。
B、P沟道JFET。
C、N沟道增强型MOSFET。 D、N沟道耗尽型MOSFET。
4.在互补对称功率放大电路中，引起交越失真的原因是（ ）。 A、输入信号过大。 B、晶体管β值太大。 C、电源电压太高。 D、晶体管输入特性的非线性。 5.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ）。 A、输入信号中所包含的干扰和噪声。 B、反馈闭环内的干扰的噪声。 C、反馈闭环外的干扰和噪声。 D、输出信号中的干扰和噪声。 三、判断题：（每小题2分，共10分）
1.N型半导体的多数载流子是电子，所以N型半导体带负电。（ ） 2.直接耦合的多级放大电路的Q点相互影响，它只能放大直流信号。（ ） 3.不考虑隔直电容的影响时，将它短路；而不考虑极间电容的影响时，将它开路。（ ）
4.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（ ）
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5.在功率放大电路，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ） 四、放大电路如图所示。图中各电容对交流信号均可视为短路。试画出其微变等效电路。写出电压增益Au和输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。（共20分）
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五、反馈放大电路如图所示。（共20分）
（1）判断电路级间引入了哪种组态的交流负反馈？
...（2）估算在深度负反馈条件下的电压放大倍数Auf?U0/Ui?? （3）若R5=0，则反馈系数F=？Auf=？
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六、如图所示差动放大电路中，已知β=80，（1）求输入电阻Ri和输出电阻R0； （2）求差模放大倍数Au.d。
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rbe?2k?。（共10分）
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七、单电源功放电路如图所示，管子饱和压降为1.2V，输出最大功率为4.8W，试求：
（1）电源VCC的最小值应为何值（取整数）？ （2）确定电源VCC以后，该电路的效率。（共10分）
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