一、在均匀n 型半导体样品的某一点注入少数载流子（空穴），样品的两端加50V/cm 的电场，电场使少数载流子在100μs 中运动1cm，求少子的漂移速度和扩散系数? 解答：
15-316-3
二、计算含有施主杂质浓度ND＝9×10cm及受主杂质浓度为1.1×10cm的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置？(T=300k时，k0 T =0.026ev, ni=1.5×10cm，Nv=1.1×10 cm)
[解]对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3：
p0?Nn0?nip0?(1.5?10)0.2?101610210-3
19-3
A?ND?2?1015cm?3；
cm?3?1.125?10cm5?3
∵p0?NANA?NDNv?ND且p0?Nv?exp(EV?EFK0T)
∴?exp(EV?EFk0T)
∴EF?Ev?k0Tln
NA?NDNv?Ev?0.026ln0.2?101.1?101619(eV)?Ev?0.224eV