模拟及数字电子技术基础_川大_期末考试试题(8)

2020-12-16 10:09

(2)VB=VCC RB2/(RB2+RB1)≈4.8V

IE=(VB -VBE)/(RE1+RE2)≈1.2mA

rbe≈200+(1+β)×26mv / IE≈1.9KΩ

Ri2 RB1//RB2// rbe (1 )RE1 5.3K (2分)

AV1 gm(RD//Ri2) 3(2分)

(RC//RL)

AV2 12(2分)

rbe (1 )RE1

AV AV1 AV2 36

(3)N沟道绝缘栅耗尽型场效应管 (2分) 2、(10分) (1) Rf

VVi(2分) 01

R1

1

V0 V01dt(4分)

R5C

t

Rf

Vidt(1分)

R5R1C0

Ri RG (RG1//RG2) 1M (2分)

R0 RC 10K (2分)

(2)i2 =0 (3分)(有计算1分,计算正确2分)

五、分析计算题

1、(6分)

正半周导通2分,波形2分;负半周期截止1分,波形1分;坐标1分。 2、(6分)

(A) 可以振荡(3分)

(B) 不能振荡(3分) 3、(10分)


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