v I/new dVH IB/ned霍尔电势VH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成：
RH —霍尔系数，由载流材料物理性质决定。ρ—材料电阻率
μ—载流子迁移率,μ=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。
金属材料，电子μ很高但ρ很小，绝缘材料，ρ很高但μ很小。故为获得较强霍尔效应，霍尔片全部采用半导体材料制成。
设 KH=RH / d VH＝ KH I B
KH—霍尔器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍尔电势的大小。 若磁感应强度B的方向与霍尔器件的平面法线夹角为θ时，霍尔电势应为：
VH＝ KH I B cosθ
注意：当控制电流的方向或磁场方向改变时，输出霍尔电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时，霍尔电势并不改变方向。