4、霍尔元件
在一个很小的矩形半导体(例如 砷化铟)薄片上,制作4个电极,就 成了一个霍尔元件。
推导: 载流子在洛伦兹力作用 下侧移,两个侧面出现电势差. 当达到稳定状态时,洛仑兹力与 电场力平衡 UqH
电流的微观表达式 I nq(bd )vIB IB 1 U H k (其中k ) nqd d nq
b
qBv
霍尔元件能够把磁感应强度这个磁学量转换为电压 这个电学量。
4、霍尔元件
在一个很小的矩形半导体(例如 砷化铟)薄片上,制作4个电极,就 成了一个霍尔元件。
推导: 载流子在洛伦兹力作用 下侧移,两个侧面出现电势差. 当达到稳定状态时,洛仑兹力与 电场力平衡 UqH
电流的微观表达式 I nq(bd )vIB IB 1 U H k (其中k ) nqd d nq
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霍尔元件能够把磁感应强度这个磁学量转换为电压 这个电学量。