第二章 激光器的工作原理(2)
粒子数密度反转分布的烧孔效应局部饱和的结果可由上述公式计算其典型值列于表2.6.1中 中 局部饱和的结果可由上述公式计算其典型值列于表 a处 n(ν ) 由于饱和降到 ，点 由于饱和降到a 处 n(ν ) b处 n(ν ) 由于饱和降到 ，点 由于饱和降到b 处 c处饱和效应非常弱可以忽略 处饱和效应非常弱可以忽略 c b 结果形成“烧孔” 结果形成“烧孔” a 孔的深度为 b n 0 (ν 1 ) n(ν 1 ) = I Is n 0 (ν 1 ) 1+ I Is1
a
孔的宽度(饱和作用宽度) 孔的宽度(饱和作用宽度)I δν = (1 + ) 2 ν 孔的面积为 Is I Is δS ≈ n 0 (ν 1 )ν (1 + I I s )1 2
图2-12 非均匀增宽型反转粒子数密度饱和
ν
孔的面积与受激辐射功率成正比 图中除烧孔处曲线外都是小信号的粒子数密度反转分布 粒子数密度反转分布曲线 图中除烧孔处曲线外都是小信号的粒子数密度反转分布曲线