反相放大器如图1所示
图10
11、电路如图11所示.设NMOS管T的参数为VT=0.8V,Kn=1mA/V2.电路其他参数为:VDD=VSS=5V,I=0.5 mA,Rd=7kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47uF输入信号采用振幅为10mV,频率为1KHz的正弦波.试用SPICE分析,研究沟道调制参数Υ对小信号电压增益的影响.
反相放大器如图1所示
图10
11、电路如图11所示.设NMOS管T的参数为VT=0.8V,Kn=1mA/V2.电路其他参数为:VDD=VSS=5V,I=0.5 mA,Rd=7kΩ,Rg=200 kΩ,Cs=47uF输入信号采用振幅为10mV,频率为1KHz的正弦波.试用SPICE分析,研究沟道调制参数Υ对小信号电压增益的影响.