mos管电路经典分析
问题：此电路为什么会烧坏Mos管？
经典分析
此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。
1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在）， 无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。
2. D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。
3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。 另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。