数控多线切割技术及发展趋势
专题报道
电子工业专用设备
ＥｑｕｉｐｍｅｎｔｆｏｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰｒｏｄｕｃｔｓＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ
ＥＰＥ
时间，提高生产效率；研究砂浆中研磨材料配比以增加设及供砂方式，可以提高硅片的加工质量［１０］；置硅材料回收装置，将被切割下来的硅材料从研磨液中分离出来供再次利用，进一步降低切割的损耗。
国产第三代数控多线切割机床的研制成功，将会打破国内φ２００ｍｍ硅片生产线上的最后一个瓶颈，打破国外产品市场垄断，降低ＩＣ行业购置和运行成本，具有巨大的经济效益和社会效益。
参考文献：
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４结束语
在硅片的切割技术领域，瑞士、日本等发达国
家处于领先水平。我国多线切割机床设备虽然作出了一定的成绩，但是整体技术和制造水平仍落后瑞士、日本等发达国家５～１０年，导致了我国大型多线切割机床市场被国外设备垄断的局面。我国在“十一五”规划中突出强调了要加强制造业的发展，其中包括“超大规模及极大规模集成电路制造装备及成套工艺”。国家也规划用３～５年的时间，使我国微电子产业的总体技术水平与国际先进水平缩短１～２个技术周期，可见国家对发展我国半导体产业的高度重视。因此，开发拥有自主知识产权的大型多线切割技术和设备，对于打破国外的技术封锁，推动我国半导体产业的发展，具有巨大的意义。
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!（行业新闻）
ＤＩＳＣＯ上市新型激光加工设备一台设备即可完成贴附有ｌｏｗ－ｋ膜的晶圆切割
据日经ＢＰ社报道，日本ＤＩＳＣＯ公司开发出了新型激光加工设备“ＤＦＬ７２６０”，该设备配备２个激光振荡器，只需一台即可切割使用了ｌｏｗ－ｋ膜的晶圆。该设备预定于２００８年４月上市。
向样品照射激光使其部分气化的烧蚀（ａｂｒａｓｉｏｎ）加工技术能够进行ｌｏｗ－ｋ膜的沟槽加工和晶圆切割。但是，由于对ｌｏｗ－ｋ膜进行沟槽加工（不出现剥离）和以较小热应力切割硅晶圆的加工对激光振荡器的要求不同，因此，此前一般需要２台激光加工设备。
此次通过配备２个激光振荡器，使得利用一台设备处理附有ＤＡＦ（ｄｉｅａｔｔａｃｈｆｉｌｍ）且厚度在１００μｍ以下的ｌｏｗ－ｋ膜的３００ｍｍ晶圆成为了可能。而且，如果配备２台同类激光振荡器，相同条件下的加工能力还可得到提高。除此之外，通过提高设备的刚性在提高轴精度的同时，且实现了１０００ｍｍ／ｓ的最大进给速度。
体积实际上小于以往２台该设备的外形尺寸约为２８００ｍｍ×１２００ｍｍ×１８００ｍｍ。考虑到维护空间，
设备的总和。另外，该公司预定在２００７年１２月５～７日于千叶县幕张Ｍｅｓｓｅ会展中心举办的“ＳＥＭＩＣＯＮＪＡＰＡＮ２００７”上展出该产品。４（总第１５４期