由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路。
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大
振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用
TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4
所示。
MOS场效应管电源开关
电路。
这是该装置的核心，在
介绍该部分工作原理之
前，先简单解释一下MOS
场效应管的工作原理。 图4
MOS 场效应管也
被称为MOS FET， 既
Metal Oxide 图5
Semiconductor Field
Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管
其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流
控制输出的电流。但对于场效应管，
其输出电流是由输入的电压（或称电
场）控制，可以认为输入电流极小或
没有输入电流，这使得该器件有很高
的输入阻抗，同时这也是我们称之为
场效应管的原因。 图6