《电子电路基础》综合练习题及解答
耗尽型NMOS管
3、 （a）本级反馈：T1：R3 串联电流负反馈 T2： R7 串联电流负反
馈
越级反馈：T1 － T3 ：Rf 串联电压正反馈 （b）电压串联负反馈 （c）电压并联负反馈 4、
5、（a）变压器耦合式振荡电路。同名端接错；RE旁加旁路电容；L2与基极间加隔直电容。
（b）电容三点式振荡电路。 去掉电容C；RE旁加旁路电容。 fo
2
L1C1C2C1 C2
（c）串联型石英晶体振荡电路。电路无错误。
五．计算题
1、图略
（1）IBQ＝40μA ICQ＝2.1mA UCEQ＝5V
（2）uo最大不失真幅度为 3.5V
2、（1）UB=4V UE=3.4V ICQ=1.7mA UCEQ=5.2V （2）图略
（3）rbe=988Ω A=-45 AS=-22.5
《电子电路基础》综合练习题及解答
（4）Ri=860Ω （5）Ro=2KΩ
3、（1）h
（2）IBQ＝
UCC－UBERb (1 hfe)Re
=110μA,
IEQ≈5.6mA hie rbb'＋（1＋ )
26mVIEQ
=0.54kΩ
Au＝
(1 hfe)Re//RLhie (1 hfe)Re//RL
＝0.98，
Ri＝ hie (1 hfe)Re//RL //Rb＝17.2k
RS//Rb hie
1
RO＝Re//
＝162Ω
4、Au
10001 j
f30