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聚焦入射到第一倍增极D1上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N级倍增后，光电子就放大N次。经过倍增后的二次电子由阳极a收集起来，形成阳极光电流，在负载RL上产生信号电压。 2、光电倍增管的供电电路注意哪些问题 ？
答：(1)倍增管各电极要求直流供电，从阴极开始至各级的电压要依次升高，常多采用电阻链分压办法供电。流过电阻链的电流IR至少要比阳极最大的平均电流Iam大10倍以上。 (2)供电电源电压稳定性要求较高。
(3)为了不使阳极脉动电流引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电阻上并联电容器。
(4)倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即接地点。 二、计算题
现有GDB-423光电倍增管的阴极有效面积为2cm2 ，阴极灵敏度为25μA/lm，倍增系统的放大倍数105，阳极额定电流为20μA，求允许的最大照度。 解：
?ia?20?A?ik?M?105ia?2?10?4?AM ii?SI?k?k?A?Eik2?10?4??A??E???0.04lmm2?0.04lx?42A?SI2?10m?25??Alm?????习题06 一、分析题
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红外报警电路如图所示，分析它的工作原理？
答：当光信号被阻挡时，光敏三极管处于截止状态，光敏三极管的集电极为高电平，即三极管基极为高电平，三极管饱和导通，三极管的集电极为低电平，驱动继电器J工作，使开关闭合，电路形成回路，晶闸管控制端有效，晶闸管导通，报警器正常工作。S为复位键。
当有光信号时，光敏三极管处于导通状态，光敏三极管的集电极为低电平，即三极管基极为低电平，三极管截止，三极管的集电极为高电平，驱动继电器不工作，开关保持断开状态，晶闸管控制端无效，报警器不工作。 二、画图解释题
用PN结简图表示出光生电压的极性和光生电流的方向。
习题07 一、填空题
热电探测器是将辐射能转换为（热）能，然后再把它转换为（电）能的器件。 二、简答题
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1、热电探测器与光电探测器比较，在原理上有何区别？
答：热电探测器件是利用热敏材料吸收入射辐射的总功率产生温升来工作的，而不是利用某一部分光子的能量，所以各种波长的辐射对于响应都有贡献。因此，热电探测器件的突出特点是，光谱响应范围特别宽，从紫外到红外几乎都有相同的响应，光谱特性曲线近似为一条平线。 2、热电探测器与普通温度计有何区别？ 答：相同点：二者都有随温度变化的性能。
不同点：温度计要与外界有尽量好的热接触，必须达到热平衡。热电探测器要与入射辐射有最佳的相互作用，同时又要尽量少的与外界发生热接触。 3、简述辐射热电偶的使用注意事项。
答：⑴由半导体材料制成的温差电堆，一般都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。⑵额定功率小，入射辐射不能很强，它允许的最大辐射通量为几十微瓦，所以通常都用来测量微瓦以下的辐射通量。⑶应避免通过较大的电流，流过热电偶的电流一般在1微安以下，决不能超过100微安，因而千万不能用万用表来检测热电偶的好坏，否则会烧坏金箔，损坏热电偶。⑷保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。⑸工作时环境温度不宜超过60℃。 习题08 一、概念题
1、电极化：电介质的内部没有载流子，所以没有导电能力。但是它也是由带电粒子——电子和原子核组成的。在外电场的作用下，带电的粒子也要受到电场力的作用，它们的运动也会发生一些变化。例如，加上电压后，正电荷平均讲来总是趋向阴极，而负电荷趋向阳极。虽然其移动距离很小，
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但电介质的一个表面带正电，另一表面带负电。称这种现象为电极化。 2、居里温度：铁电体的极化强度与温度有关，温度升高，极化强度减低。升高到一定温度，自发极化就突然消失，这个温度称为居里温度（或居里点）。 二、简答题
1、为什么由半导体材料制成的热敏电阻温度系数是负的，由金属材料制成的热敏电阻温度系数是正的？
答：⑴半导体材料制成的热敏电阻吸收辐射后，材料中电子的动能和晶格的振动能都有增加。因此，其中部分电子能够从价带跃迁到导带成为自由电子，从而使电阻减小，电阻温度系数是负的。⑵金属材料制成的热敏电阻，因其内部有大量的自由电子，在能带结构上无禁带，吸收辐射产生温升后，自由电子浓度的增加是微不足道的。相反，因晶格振动的加剧，却妨碍了电子的自由运动，从而电阻温度系数是正的，而且其绝对值比半导体的小。
2、简述热释电探测器的工作原理。
答：当红外辐射照射到已经极化了的铁电薄片时，引起薄片的温度升高。因而表面电荷减少，这就“释放”了一部分电荷。释放的电荷通过放大器转换成输出电信号。如果红外辐射继续照射，使铁电薄片的温度升高到新的平衡值，表面电荷也达到新的平衡，不再释放电荷。也就没有输出信号。而在稳定状态下，输出信号下降到零，只有在薄片温度有变化时才有输出信号。 三、计算题
1、可见光的波长、频率和光子的能量范围（给出计算公式）各是多少?
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答：可见光的波长：0.38微米～0.78微米 频率：3.85×10HZ～7.89×10HZ【利用公式
?19?191414????n】
光子能量：2.55×10J～5.23×10 J【利用公式E?h?】
2、一块半导体样品,有光照时电阻为50Ω，无光照时为5000Ω,求样品的光电导。
答：有光照时的电导为：G1?无光照时的电导为：G2?1?0.02S 501?0.0002S 5000故：该样品的光电导为G?G1?G2?0.0198S 习题09 一、填空题
发光二极管的发光亮度，基本上是正比于（电流密度）。
2、氦氖激光器以（直流）电源驱动。从结构上分（全内腔）（全外腔）（半内腔）激光器。
3、发光二极管是（注入式电致发光器件）器件，它能将（电）能转变为（光）能。 二、简答题
1、半导体发光二极管的发光原理
答：半导体发光二极管的材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。由于PN结阻挡层的限制，在常态下，二者不能发生自然复合。而当给PN结加以正向电压时，沟区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方，处于高能态的电子与空穴相遇时，便产生发光复
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