2010－2011学年第二学期《半导体物理学》课内考试卷（A卷）
授课班号 年级专业 学号 姓名
题号 题分 得分 一
二 三 四 五 总分 审核 得分 评阅人 一、选择题
1．电子在晶体中的共有化运动指的是 。 A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体元胞中出现的几率相同
C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各元胞对应点有相同的相位
2．如果n型半导体的导带极值在[111]轴及对称方向上，当磁场沿[110]方向时，测的共振吸收峰的个数是 。
A．1个 B． 2个 C．3个 D． 4个
143143
3、某一半导体掺施主杂质浓度ND=5ⅹ10/cm,当温度为500K时，ni=7ⅹ10/cm.则电子和空穴的浓度分别近似为 。
143153143153
A. n0 =1.2ⅹ10/cm p0=1ⅹ10/cm B. p0=4ⅹ10/cm p0=5ⅹ10/cm
143153143153
C. n0=5ⅹ 10/cm p0=1ⅹ10/cm D. n0=1ⅹ 10/cm p0=7ⅹ10/cm
4．有效复合中心的能级通常都是靠近 。
A． EC B．EV Ｃ．Ｅi D．EF
５．简并半导体是指 的半导体。 A．（EC-EF）或（EF-EV）≤0 B．（EC-EF）或（EF-EV）≥０
Ｃ．能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D．导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
6．在GaAs中熔入GaP可使其 。 A．禁带变宽 B．增加电子陷阱 Ｃ．禁带变窄 Ｄ．增加空穴陷阱
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７．本征半导体是指 的半导体。 Ａ．不含杂质与缺陷 B．电子密度与空穴密度相等
Ｃ．电阻率最高 Ｄ．电子密度与本征载流子密度相等
８．若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定 。 Ａ．不含施主杂质 Ｂ．不含受主杂质 Ｃ．不含任何杂质 Ｄ．处于绝对零度
９．若浓度为Nt的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，起电子和空穴的俘获系数分别为rn和rp ，则小注入寿命为 。 Ａ．1/Ntrp
B. 1/Ntrn C. 1/Ntrp+1/Ntrn D. 1/Ntni
10.半导体中的载流子的扩散系数决定于其中的 。
A．散射机构 B．复合机构 Ｃ．杂质浓度梯度 Ｄ．表面复合速度
11.重空穴指的是 。 A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D．自旋—轨道藕合分裂出来的能带上的空穴
12．硅中掺金的工艺主要用于制造 的器件。 A．高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
13.根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率 。 A． 等于空穴占据（EF+KT)的几率 B．等于空穴占据（EF -KT)的几率 C． 大于电子占据EF的几率 D． 大于空穴占据EF的几率
14.公式μ=qτ/m﹡中的τ是载流子的 。
A．渡越时间 B．寿命 Ｃ．平均自由时间 Ｄ．扩散系数
15．3个硅样品的掺杂情况如下：
173173
甲.含镓1ⅹ10/cm 乙.含磷1ⅹ10/cm 丙.不掺杂
这些样品在室温下费米能级由底到高的(以EV为基准)的顺序是 。 A．甲乙丙 B．甲丙乙 Ｃ．乙丙甲 Ｄ．丙甲乙
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1、 有效质量的意义是
2. 半导体的状态密度意义为
3．影响半导体散射的两种机制为 及
4．半导体中载流子电场作用下的运动称为 ，由浓度梯度引起的载流
子运动称为 。
5．爱因斯坦关系为 最有效的复合中心能级在
６．PN结被击穿的三种方式为 ， ， 。
７．扩散长度是指 。
８．半导体势垒电容是由于 而产生的
扩散电容是由于 。
9．载流子复合放出能量的方法有哪三种 ， ， 。
10．计算半导体中载流子浓度时，不能使用玻耳兹曼统计代替费米统计的判定条件是 ，这种半导体被称为 。
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得分 评阅人 二、 填空题
得分 评阅人 三、简答题（4题共 56 分）
1． 简述热平衡状态下的p-n结的形成的物理机理及其用途。
2． 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 3． 以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。 4、定性解释如图硅电阻率和温度的关系。
ρ A B T
硅电阻率与温度关系示意图
C 5、定性解释如图n型Si中导带电子浓度和温度的关系。
n型Si中导带电子浓度和温度的关系曲线
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6、定性解释如图Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系。
Si中不同掺杂浓度条件下费米能级与温度的关系
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