即可得到光电二极管的输出波形，其频率可通过“频率调节”处的方波旋钮来调节。然后按照要求分别测量一定偏压下不同负载时其响应时间及一定负载下不同偏压时其响应时间。
（1） 选定负载为10 kΩ，按照下表改变其偏压。观察并记录在零偏(不选偏压即 可)及不同反偏下光电二极管的响应时间，并填入表3—l。
表3—1 硅光电二极管的响应时间与偏置电压的关系 偏置电压E/V 响应时间tr/s
（2）在反向偏压为15V时，改变探测器的偏置电阻，观察探测器在不同偏置电阻
时的脉冲响应时间。记录填入表3—2。
表3—2 硅先电三极口的响应时同与负载电阻的关系 负载电阻RL/Ω 响应时间tr/s
2.用脉冲法测量光敏电阻的负载响应时间
光敏电阻所加偏压力15V，负载是10k，是不可调的。故“偏压”档和负载挡在此时不起作用。
将实验箱面板上“波形选择”开关拨至脉冲档，“探测器选择”开关拨至光敏电阻挡，此时由“输入波形”的光敏电阻处（黄导线）应可观测到方波，由“输出”处引出的输出线 (青导线) 即可得到光敏电阻的输出波形，调节“频率调节”旋钮使频率为20Hz，测出其响应时间并记录。
3.用幅频特性法测量CdSe光敏电阻的响应时间
(1)将本实验箱面板上“波形选择”开关拨至正弦档，“探测器选择”开关拨至光敏电阻挡，此时由“输人波形”的光敏电阻处（红导线）应可观测到输入的正弦波形 由“输出”处引出的输出线(青导线)即可得到光敏电阻的输出波形，其频率可通过改变“频率调节”处的正弦旋钮来调节。然后改变光波信号频率，测出不同频率下CdSe的输出电压(至少测三个
500 1K 10K 50K 100K 0 5 10 15 频率点)并记录，计算出其响应时间。
4.用截止频率测量CdSe光敏电阻的响应时间 将本实验箱面板上“波形选择”开关拨至正弦档，“探测器选择“开关拨至光敏电阻档，此时由”输入波形“的光敏电阻处（红导线）应可观测到输入的正弦波形，由“输出”处引出的输出线（青导线）即可得到光敏电阻的输出波形，其频率可通过改变“频率调节”处的正弦旋钮来调节。改变正弦波的频率，可以发现随着调制频率的改变，CdSe负载电阻两端的信号电压将发生变化。测出其衰减到超低频的70.7%时（即3分贝处）的调制频率?c，并确定响应时间τ。