RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟） 当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有：4，3，2(clocks)
DRAM precharge Delay（脉冲周期） 这个设置是用来控制提供给SDRAM参数使用的SDRAM时钟周期！设定值有：8，7，6，5，(clocks)
SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）
此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4，8(clocks)。 AGP Aperture Size (AGP内存分配)
此项用来控制有多少系统内存可分配给AGP卡显示使用。孔径是用于图形内存地
址空间一部分PCI内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值为：4MB，8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，和256 MB。
4.OnBoard Devices Configuration（集成设备设定）
这里是管理各种主板集成硬件设施的一些选项，用户基本上不用更改其设置！所以在此不再赘叙！如需改动，请查看主板说明书！
5．PCI Pnp（即插即用设备设置）
这里是设置即插即用和PCI的高级设定项目，一般用户不需要改动任何项目，都保持默认就可以了。在进行本设置设定时，不正确的数值将导致系统损坏！
6.USB Configuration（USB装置设置）
USB端口装置设定，大家一看就明白，无须多讲！只是那个传输模式里面有个FullSpeed和HiSpeed，如果大家是USB2.0的就把它设置成HiSpeed，FullSpeed是模拟高速传输，没有HiSpeed的快！
三．Power（电源管理设置）如图：
前面四个没有什么好讲，因为主板品牌不同，所以可能有些用户没有上面的选项，主要有APM Configuration（高级电源设置）和Hardware Monitor（系统监控）两个选项。 1. APM Configuration（高级电源设置）