武汉理工材料科学基础2006考研参考答案
1， 从晶体结构中抽取出来反应晶体周期性和对称性的最小重复单元。 2， 化学位梯度，浓度梯度，定向移动
3， 原子排列状况相同但位向不同，指数的数字相同，但数序和正负号不同 4， 沸石＞萤石＞TiO2＞MgO
5， 固相烧结和液相烧结 再结晶和晶粒长大 6， Si/O 比例，岛状、组群状、链状、层状、架状 7， 对，固体表面原子不能自由移动
8， 相变是化学位及其一阶偏导数相等，而二阶偏导数不相等的相变，热容、体积膨胀
系数、压缩系数
9， 由于表面原子变形、极化和重排而引起的表面原子相对于正常位置上下移动的表面 10， 界面上的化学反应和反应物在产物层的扩散两个过程，反应物在产物层的扩散
速度远大于化学反应速率的范畴。 11， c＞b＞a
武汉理工材料科学基础2007年考研真题参考答案
一、 同质多晶：化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同晶体的
现象。
重建型转变：不能通过简单的原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键形成新键的结构的转变。
热释电效应：在某些绝缘物质中，由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。
位错攀移：在热缺陷或外力作用下，位错线沿垂直于滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。
大角度晶界：相邻晶粒的取向差???o(10o??o?15o) 时，称为大角度晶界。 网络形成体：单链强度大于335Kg/mol，能单独形成玻璃的氧化物。 表面化学力：
凝聚系统：没有气相或虽有气相但其影响可以忽略不计的系统。
稳定扩散：空间任意一点的浓度不随时空变化，扩散通量不随位置变化的扩散。 非扩散型相变：相变过程中不存在原子（离子）扩散，或虽存在扩散但不是相变所必需的或不是主要过程的相变。
晶粒长大：在烧结中、后期细小晶粒逐渐长大，是晶界移动的结果，其结果是平均晶粒尺寸增加。
广义材料腐蚀：材料由于环境作用而引起的变质和破坏过程。
蠕变：固体材料在保持应力不变的条件下，应变随时间延长而增加的现象。 铁弹效应：外电场作用下电畴取向一致，电场消失后仍然保持着净极化的现象。 二、1，A块主要反映Mg2+离子配位[MgO4] B块主要反映Al3+离子配位[AlO6]
2，CNO2-=4，[OMgAl3] 静电强度=?3
23?1??3?2?O2?的电价数。 464，Mg2+离子占据四面体空隙的1/8，Al3+占据八面体空隙的1/2 5，正尖晶面
三、1，层状结构，3MgO?4SiO2?H2O
2，Na2O能降低熔体粘度，因为Na+半径大，电荷少，与O2-的作用力较小，提供了系统中的自由氧，降低了Si/O比，导致原来的硅氧负离子团解聚为较简单的结构单元，因而降低了粘滞活化能，粘度变小。
3，同一种物质，其液体固体表面结构不同，液体分子可以自由移动，总是通过形成球形表面来降低其表面能，固体则不能，固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排来降低体统表面能，固体表面处于搞能量状态（由于表面力的存在）。
''四、1，O?Vo???Vca
晶胞体积V?(0.481?10?7cm)3?1.113?10?22cm3 m??a3?3.2?1.113?10?22?3.56?10?22g 分子数为：
m?6.02?1023?3.83
16?40缺陷数：4-3.83=0.17
'?2???CsMg?ClCl?Vcl 2，CCl?MgCl
x x x
CsxMg1?xCl2?x
??''3，Al2O3?MgO ???2AlMg?2Oo?Oi'' Al2O3?MgO???2AlMg?3Oo?VMg Al2Mg1?2xO1?x Al2xMg1?3xO 五、
六、临界胚体半径r*??*?T2r 且 ?GV??H 得
Tm?Gv2rTm2?1.77?10?5Tm=1.25?10?8cm r????H?T1628?0.3?Tm4*3?r4?3.14?(7.25?10?8)3n?33?4?3?4?135（个） ?73a(3.615?10)