计算机组成原理存储器EM实验(2)

把输入信号置为00000001，并把K0，K2，K3置为低电平，打入上市沿脉冲，便把地址1写入MAR。 4读EM[1],打入IR

将K1，K2，K4置为低电平, 打入上市沿脉冲,然后将K6置为低电平，再打入上升沿脉冲，即将EM[0]的内容打入IR。

五、实验心得体会：

通过此次实验，我对存储器的地址的读和写都有了比较深刻的理解，让我实践动手的能力又进一步的增强了，这次是自己能够看着原理图自己能连线，但是还是不能很好的分析它的原理，在下一次的试验中一定要好好的学习，最好自己能够弄懂。

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