2IdIDgm???DSSdVGSVP?VGSQ?1?VP??2?6??2.3???1?????1.23mS，
?6?6???Vo1gmRd1.23?12??????9.2， Vi1?gmRs11?1.23?0.5Vo2gR1.23?0.5??ms1????0.38， Vi1?gmRs11?1.23?0.5Ro1?Rd?12k?， Ro2?Rs111?0.5?355?。 gm1.234.7.6 共源放在电路及场效应管的输出特性曲线如题图4.7.6（a）、(b)所示，电路参数为
RD?25k?,Rs?1.5k?,RG?5M?,VDD?15V，试用图解法和计算法求静态工作点Q。
解：（1）图解法求解静态工作点的图形如图4.7.6所示。作图过程为： （a）根据vDS?VDD?iD?RD?RS?在输出特性上作负载线MN
（b）作负载转移特性，根据vGS??iDRS作源极负载线0A，此负载线与负载转移特性曲线的交点Q’即静态工作点。在负载转移特性和输出特性上可找到静态工作点的数值为
(a)
题图4.7.6
(b)
?VGSQ??0.35V??IDQ?0.22mA。 ??VDSQ??9.5V
（2）计算法求解静态工作点
由输出特性可知，VP??1V,IDSS?0.5mA。根据
2??VGSQ??IDQ?IDSS?1??
V??P???VGSQ??IDQRS2?I?0.51?V?mA? ?DQGSQ???VGSQ??1.5IDQ?V????IDQ?0.22?mA??解方程组有 ?V??1.5?0.22?V???0.33?V?
?GSQ???VDSQ?VDD?IDQ?Rd?RS??9.2?V?4.7.7题图4.7.7所示电路，是由场效管和晶体三极管组成的混合放大电路，己知场效应管的IDSS?2mA，VP??4V晶体三极管的??80,VBEQ?0.7V，rbb'?300?，所有电容容抗可以不计，试问：
题图 4.7.7
（1）分别计算各极的静态工作点； （2）画出电路微变等效电路；
（3）计算总的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
解：T1为N沟耗尽型MOSFET，T1构成共源放大电路；T2为NPN三极管，构成共射、放大电路。
（1）第一放大级的静态工作点：
?VGSQ?VG?VS?0V?2??VGSQ? ?IDQ?IDSS?1???IDSS?2mAVP????V?VDD?IDQRD?30?2?2?26V?DSQ第二放大级的静态工作点：
VB?Rb12?VCC??30?2.7V
Rb1?Rb22?20ICQ?IEQ? IBQ?VBQ?VBERe?2.7?0.7?22.7mA0.088ICQ??VCEQ?VCC22.7 ?284?A80?ICQ(Re?Rc)?30?22.7(0.088?0.5)?16.7V（2）画出电路微变等效电路如图4.7.7所示；
图 4.7.7
（3）计算总的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
gm?2IdID??DSSdVGSVP?VGSQ?1?VP??2?2?0???1?????1mS ，
?4??4??rbe?rbb'??1???26mV26mV?300??1?80??0.39k?， IE22.7mARi2?Rb1Rb2rbe?2200.39?0.33k?，
AV1??gm(RdRi2)??1?20.33??0.28，
AV2?Vo2?RC80?0.5??????102， Vi2rbe0.39AV?AV1AV2??0.28???102??28.56，
Ri?Ri1?Rg?3.3M?，
Ro?Ro2?RC?0.5k?。