图2-42 元件编号对话框
为了更新元件编号，通常要把现有的元件编号统统删除，我们在图2-42的对话框的“Action”栏目中，选择“Reset part reference to “?””选项，点击“确定”按键后，就可以把所有的元件编号都删除。
接着我们再次打开图2-42的对话框，在“Action”栏目中，选择“Unconditional reference update”选项，点击“确定”按键后，就可以重新进行元件的编号。 五． 进行DRC检验
接下来我们应该进行DRC检验（即Design Rules Check），检查在我们的设计中，有哪些错误，对可能出现的问题，也会提出警告。虽然这一步不是必需的，但是如果设计上有种种逻辑错误，就直接生成了网络表，制作了PCB板，到头来在金钱和时间方面都会有很大的损失。因此我们应该在每次生成网络表之前，首先进行DRC检验，解决出现的错误，认真分析出现的警告，在确保设计完全正确之后，再进入下一步。
下面我们就进行DRC检查，在项目窗口中，选择工程文件，然后点击“Tools→Design Rules Check?”菜单，这时弹出如下对话框：
图2-43 DRC检验对话框
如果要进行DRC检验，在“Action”栏目中应该选择“Check design rules”选项，如果要去掉图纸上的DRC检验标记，应该选择“Delete existing DRC marker”。在“Report”栏目上，通常按照图2-43，选择要进行的项目。点击“确定”按钮后，就开始了DRC检验，在我们原理图设计图纸上，将出现如下警告信息：
图2-44图纸上出现的DRC检验警告标记
双击该警示标记，会弹出对话框，指示警示的原因，如下图所示：
图2-45 DRC检验的警告信息
我们分析一下出现警告的原因：
这是因为CH341的TXD引脚是一个输出引脚，而我们把它连接到了单片机的RXD引脚上了，而单片机的RXD引脚是一个双向引脚。这提醒我们：在工作期间应该保证单片机的TXD引脚处于输入的状态，而不能处于输出的状态，当然我们的设计是没有问题的。
由于目前在原理图图纸上有DRC检验的警告标志，需要把它去掉，所以要重新打开DRC检验对话框，在“Action”栏目中选择“Delete existing DRC marker”
选项，执行后，原理图图纸上的DRC检验警告标志，就全去掉了。 六． 生成网络表
这下我们要实际生成网络表了，在项目窗口中，选择工程文件，然后点击“Tools→Create Netlist?”菜单，这时会弹出如下对话框：
图2-46 网络表创建对话框
我们在图2-46显示的对话框中选择“PCB Editor”页面，按照默认的选项，点击“确定”按键就可以生成网路表。 七． 创建元件清单
要创建元件清单，在项目窗口中，选择工程文件，然后点击“Report→CIS Bill of Materials→Standard?”菜单，这时会弹出如下对话框：
图2-47 生成元件清单对话框
在图2-47的对话框中，有两个列表框：在左边的列表框中列出可以作为元件清单的栏目项；右边的列表框中是目前选中作为元件清单的栏目项，应根据自己的需要调整该列表框中的栏目项，最后点击“OK”，从而生成元件清单。下图就是我们前面所完成项目的元件清单：
图2-48 元件清单
2.7
原理图设计进阶
从前面的学习中，我们已经初步掌握了最基本的电路原理图设计方法，下面我们要围绕着稍微复杂一点的电路——ARM-7核心板，来进一步学习原理图设计的内容。
一． ARM-7核心板的电路分析 1. 核心板电路的基本功能
在周立功的Magic ARM2200-S实验箱上，实验箱的主体部分是用户板，由一些直接用于实验的单元电路构成的，比如数码管、按键、蜂鸣器等；而实验箱的核心部分却在另一块小的电路板上，这就是我们现在要开发的ARM-7核心板，它是主要由ARM-7芯片、存储器芯片、接插件和一些辅助电路构成。
ARM-7芯片也像其他单片机一样，内部包含一些存储器，不过只是芯片内部存储器还不够的，还需要在芯片的外围扩充一些。所以我们的核心板主要就是ARM-7芯片和存储器芯片构成的。
ARM-7芯片所用的型号是LPC2200FET144，存储器NOR FLASH芯片的型号为SST39VF160，存储器PSRAM芯片的型号为MT45W4MW16，存储器NAND FLASH芯片的型号为K9F2808U0C。 2. ARM芯片
ARM-7芯片LPC2200FET144的P2口（P2.0~P2.31），同时也是与存储器连接时的数据口（D0~D31）；P3口的低24位（P3.0~P3.23），同时也是与存储器连接时的地址线（A0~A23）；P3.27还作为“写”存储器的控制信号（WE、低电平有效）；P1.1还作为“读”存储器的控制信号（OE、低电平有效）；P3.31~P3.28还作为指示32位数据线上哪些字节有效的BLS0~BLS3（低电平有效）信号线；LPC2200FET144芯片把外部存储器划分成4个区块Bank0~Bank3，在访问某一个区块的存储单元时，有对应的CSn（低电平有效）引脚输出低电平，而P1.0还作为CS0，P3.26~P3.24还作为CS1~CS3。为了进行调试和下载，LPC2200FET144芯片安排以下几个引脚连接JTAG接口：RTCK（P1.26）、TDO（P1.27）、TDI（P1.28）、TCK（P1.29）、TMS（P1.30）、TRST（P3.1）。 3. NOR FLASH和RAM芯片
NOR FLASH芯片SST39VF160内部有1M个存储单元，每个单元有16位（共2M字节），所以它有16条数据线和20条地址线，该芯片上还有片选信号（CE#）、读控制信号（OE#）、写控制信号（WE#）。显然应该把它的地址线、数据线与ARM-7芯片的地址线、数据线相连，把读、写控制信号线与ARM-7芯片发出的读、写控制线相连。我们把它的片选信号线接到PLD芯片（ATF16LV8C）相连，通过PLD芯片的译码，控制SST39VF160的读写。
PSRAM芯片MT45W4MW16内部有4M个存储单元，每个单元也是16位（共8M字节），所以它有16条数据线和22条地址线，该芯片上也有片选信号（CE#）、读控制信号（OE#）、写控制信号（WE#）。这些线的连接方法与SST39VF160芯片对应引脚的连接方法完全一致。对MT45W4MW16的读写操作还可以按字节操作，或高8位或低8位，所以要把它的LB、UB引脚接到LPC2200FET144的BLS0（P3.31）、BLS1（P3.30）上。