计算机组成原理课后答案(唐朔飞第二版)(2)

2019-08-31 09:50

解法2: 总线工作频率 = 66MHz/4 =16.5MHz 总线最大数据传输率=16.5MHz×4B =66MB/s

若想提高总线的数据传输率,可提高总线的时钟频率,或减少总线周期中的时钟个数,或增加总线宽度。

3.16 在异步串行传送系统中,字符格式为:1个起始位、8个数据位、1个校验位、2个终止位。若要求每秒传送120个字符,试求传送的波特率和比特率。

解: 一帧 =1+8+1+2 =12位 波特率 =120帧/秒×12位=1440波特

比特率 = 1440波特×(8/12)=960bps或:比特率 = 120帧/秒×8 =960bps

第 四 章

0.静态RAM与动态RAM的区别

静态RAM(SRAM)速度非常快,只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位,因此集成度相对较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。

动态RAM(DRAM)的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失,因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成,因此它的集成度高,成本较低,另外耗电也少,但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢,SRAM比DRAM要快2~5倍,一般,PC机的标准存储器都采用DRAM组成。 1.辅助储存的技术的指标

(1)记录密度 Dt=1/p Db=f1/πd(min) (2)储存容量 C=NKS

(3)平均寻址时间 Ta=Tsa+Twd (4)数据传输率 Dv=Db*V (5)误码率

2.Cache的三种映射方式:

(1)直接映射 实现简单,不够灵活。 (2)全相联映射 (3)组相联映射

3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么要分这些层次?计算机如何管理这些层次? 答:存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。

Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,CPU访存速度加快,接近于Cache的速度,而寻址空间和位价却接近于主存。

主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,即从程序员的角度看,他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存。

综合上述两个存储层次的作用,从整个存储系统来看,就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。

主存与CACHE之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。而主存与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现,即将主存与辅存的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器,程序员可使用这个比主存实际空间(物理地址空间)大得多的虚拟地址空间(逻辑地址空间)编程,当程序运行时,再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间与主存实际物理空间的转换。因此,这两个层次上的调度或转换操作对于程序员来说都是透明的。

4. 说明存取周期和存取时间的区别。

解:存取周期和存取时间的主要区别是:存取时间仅为完成一次操作的时间,而存取周期不仅包含操作时间,还包含操作后线路的恢复时间。即:

存取周期 = 存取时间 + 恢复时间

5. 什么是存储器的带宽?若存储器的数据总线宽度为32位,存取周期为200ns,则存储器的带宽是多少?

解:存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。

存储器带宽 = 1/200ns ×32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒 = 5M字/秒 注意:字长32位,不是16位。(注:1ns=10s)

6. 某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址它的寻址范围是多少?若主存以字节编址,试画出主存字地址和字节地址的分配情况。

解:存储容量是64KB时,按字节编址的寻址范围就是64K,如按字编址,其寻址范围为:

64K / (32/8)= 16K

主存字地址和字节地址的分配情况:(略)。

7. 一个容量为16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片?

1K×4位,2K×8位,4K×4位,16K×1位,4K×8位,8K×8位 解:地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46根;

选择不同的芯片时,各需要的片数为:

1K×4:(16K×32) / (1K×4) = 16×8 = 128片 2K×8:(16K×32) / (2K×8) = 8×4 = 32片 4K×4:(16K×32) / (4K×4) = 4×8 = 32片 16K×1:(16K×32)/ (16K×1) = 1×32 = 32片 4K×8:(16K×32)/ (4K×8) = 4×4 = 16片 8K×8:(16K×32) / (8K×8) = 2×4 = 8片

-9

9. 什么叫刷新?为什么要刷新?说明刷新有几种方法。

解:刷新:对DRAM定期进行的全部重写过程;

刷新原因:因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充,因此安排了定期刷新操作;

常用的刷新方法有三种:集中式、分散式、异步式。

集中式:在最大刷新间隔时间内,集中安排一段时间进行刷新,存在CPU访存死时间。 分散式:在每个读/写周期之后插入一个刷新周期,无CPU访存死时间。 异步式:是集中式和分散式的折衷。 讨论:

1、刷新与再生的比较: 共同点:

?动作机制一样。都是利用DRAM存储元破坏性读操作时的重写过程实现; ?操作性质一样。都是属于重写操作。 区别:

?解决的问题不一样。再生主要解决DRAM存储元破坏性读出时的信息重写问题;刷新主要解决长时间不访存时的信息衰减问题。

?操作的时间不一样。再生紧跟在读操作之后,时间上是随机进行的;刷新以最大间隔时间为周期定时重复进行。

?动作单位不一样。再生以存储单元为单位,每次仅重写刚被读出的一个字的所有位;刷新以行为单位,每次重写整个存储器所有芯片内部存储矩阵的同一行。

?芯片内部I/O操作不一样。读出再生时芯片数据引脚上有读出数据输出;刷新时由于CAS信号无效,芯片数据引脚上无读出数据输出(唯RAS有效刷新,内部读)。鉴于上述区别,为避免两种操作混淆,分别叫做再生和刷新。 2、CPU访存周期与存取周期的区别:

CPU访存周期是从CPU一边看到的存储器工作周期,他不一定是真正的存储器工作周期;存取周期是存储器速度指标之一,它反映了存储器真正的工作周期时间。

3、分散刷新是在读写周期之后插入一个刷新周期,而不是在读写周期内插入一个刷新周期,但此时读写周期和刷新周期合起来构成CPU访存周期。

4、刷新定时方式有3种而不是2种,一定不要忘了最重要、性能最好的异步刷新方式。

10. 半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种?

解:半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种:线选法和重合法。

线选法:地址译码信号只选中同一个字的所有位,结构简单,费器材;

重合法:地址分行、列两部分译码,行、列译码线的交叉点即为所选单元。这种方法通过行、列译码信号的重合来选址,也称矩阵译码。可大大节省器材用量,是最常用的译码驱动方式。

11. 一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

解:采用集中刷新方式刷新间隔为:2ms,其中刷新死时间为:256×0.1μs=25.6μs

采用分散刷新方式刷新间隔为:256×0.1μ=25.6μs 采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms

12. 画出用1024×4位的存储芯片组成一个容量为64K×8位的存储器逻辑框图。要求将64K分成4个页面,每个页面分16组,指出共需多少片存储芯片。 解:设采用SRAM芯片,则:

总片数 = (64K×8位) / (1024×4位)= 64×2 = 128片

题意分析:本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级,因此画图时也应分三级画。首先应确定各级的容量:

页面容量 = 总容量 / 页面数 = 64K×8 / 4 = 16K×8位,4片16K×8字串联成64K×8位

组容量 = 页面容量 / 组数 = 16K×8位 / 16 = 1K×8位,16片1K×8位字串联成16K×8位

组内片数 = 组容量 / 片容量 = 1K×8位 / 1K×4位 = 2片,两片1K×4位芯片位并联成1K×8位

存储器逻辑框图:(略)。

13. 设有一个64K×8位的RAM芯片,试问该芯片共有多少个基本单元电路(简称存储基元)?欲设计一种具有上述同样多存储基元的芯片,要求对芯片字长的选择应满足地址线和数据线的总和为最小,试确定这种芯片的地址线和数据线,并说明有几种解答。 解:存储基元总数 = 64K×8位 = 512K位 = 2位;

19

思路:如要满足地址线和数据线总和最小,应尽量把存储元安排在字向,因为地址位数和字数成2的幂的关系,可较好地压缩线数。

解:设地址线根数为a,数据线根数为b,则片容量为:2×b = 2;b = 2

若a = 19,b = 1,总和 = 19+1 = 20; a = 18,b = 2,总和 = 18+2 = 20; a = 17,b = 4,总和 = 17+4 = 21; a = 16,b = 8,总和 = 16+8 = 24; ?? ??

由上可看出:片字数越少,片字长越长,引脚数越多。片字数减1、片位数均按2的幂变化。

结论:如果满足地址线和数据线的总和为最小,这种芯片的引脚分配方案有两种:地址线 = 19根,数据线 = 1根;或地址线 = 18根,数据线 = 2根。

14. 某8位微型机地址码为18位,若使用4K×4位的RAM芯片组成模块板结构的存储器,试问:

(1)该机所允许的最大主存空间是多少?

(2)若每个模块板为32K×8位,共需几个模块板? (3)每个模块板内共有几片RAM芯片? (4)共有多少片RAM? (5)CPU如何选择各模块板?

解:(1)该机所允许的最大主存空间是:2 × 8位 = 256K×8位 = 256KB

(2)模块板总数 = 256K×8 / 32K×8 = 8块

(3)板内片数 = 32K×8位 / 4K×4位 = 8×2 = 16片 (4)总片数 = 16片×8 = 128片

(5)CPU通过最高3位地址译码输出选择模板,次高3位地址译码输出选择芯片。地址格式分配如下:

18

a

19

19-a

模板号(3位) 芯片号 (3位) 片内地址(12位)

MREQ MREQ4.15 设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用A15A14A13A12A11A074138...ROM1OE...ROM2OE...RAM1...CSCPUD0D3D4D7R/WPDPROGRAM2作读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:ROM(2K×8位,4K×4位,8K×8位),RAM(1K×4位,2K×8位,4K×8位),及74138译码器和其他门电路(门电路自定)。试从上述规格中选用合适芯片,画出CPU和存储芯片的连接图。要求:

(1)最小4K地址为系统程序区,4096~16383地址范围为用户程序区; (2)指出选用的存储芯片类型及数量; (3)详细画出片选逻辑。 解:(1)地址空间分配图:

系统程序区(ROM共4KB):0000H-0FFFH 用户程序区(RAM共12KB):1000H-FFFFH

(2)选片:ROM:选择4K×4位芯片2片,位并联 RAM:选择4K×8位芯片3片,字串联(RAM1地址范围为:1000H-1FFFH,RAM2地址范围为2000H-2FFFH, RAM3地址范围为:3000H-3FFFH) (3)各芯片二进制地址分配如下:

............CSRAM3(低电平有效)作访存控制信号,......CPUCSA15A14A13A12A11A074138...OE...ROM2OE...RAM1...CS...CSPDPROGROM1RAM2RAM3D0D3D4D7R/W...............CS A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 ROM1,2 0 RAM1 RAM2 RAM3 0 0 0 0 0 0

MREQCPU和存储器连接逻辑图及片选逻辑如下图(3)所示:

G1G2AY7Y3Y2A15A14A13A12A11A0G2BABC74138Y1Y0......ROM1OE...ROM2OE...RAM1...CS...CSCPUD0D3D4D7R/WPD/PROGRAM2RAM3...............CS......图(3)

16. CPU假设同上题,现有8片8K×8位的RAM芯片与CPU相连,试回答:

(1)用74138译码器画出CPU与存储芯片的连接图; (2)写出每片RAM的地址范围;

(3)如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后,以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据,分析故障原因。

(4)根据(1)的连接图,若出现地址线A13与CPU断线,并搭接到高电平上,将出现什么后果?

解:(1)CPU与存储器芯片连接逻辑图:

+

(2)地址空间分配图: RAM0:0000H-1FFFH RAM1:2000H-3FFFH RAM2:4000H-5FFFH


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