清华大学2012届毕业设计说明书
1 绪论
自从1962年第一台半导体激光器发明以来，经历40多年的发展，半导体激光器以自身的优势，极大地推动了科学技术的进步，是二十世纪人类最伟大的发明之一。近几年来，随着信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化的需求发展，半导体激光器的发展更为迅速，性能不断提高，半导体激光器已成为世界上发展最快的激光技术之一。它的应用几乎覆盖了整个光电子学领域，成为当今光电子学的核心技术之一。 1．1 选题目的及意义
近年来,半导体激光器的研究和应用出现了快速发展的趋势,半导体激光器在军事、工业、医学等多方面有着重要的应用前景。由于半导体激光器具有易于调制、重量轻、体积小、发射功率大等优点，常将其作为通信系统中基本的光源。但是，由于半导体激光器的非对称光波导结构，使得发出的光束在相互垂直的两个平面内具有较大的发散角，远场平行和垂直于结平面方向的发散角分别约10o~30o和30o~60o，从而形成像散，并在远场形成椭圆光斑,输出光能量不集中,光强分布不均匀,这严重妨碍了大功率半导体激光器的应用。因此设计一种实用的大功率半导体激光器光束准直系统具有重要的现实意义。
本文基于这个目的,设计了一种基于980nm半导体激光器的光束准直系统，利用柱透镜组合对发散角进行压缩,得到一个易于应用的圆形光斑。 1．2 980nm半导体激光器的发展及其应用
980nm大功率半导体激光器是在上世纪90年代初随着量子阱材料生长技术的成熟发展起来的新型器件，采用InGaAs应变层量子阱结构作为有源区[1]，是当代超晶格微结构理论和超晶格生长技术发展的一次成功应用。 1.2.1 半导体激光器的发展史
半导体激光器经历了一个相当长的发展史后，正趋于成熟。
1953年，美国John Von Neumann在一片未发表的论文手稿中第一个论述了在半导体中产生受激发射的可能性，认为可以通过想PN结注入少数载流子来实现受激发射，计算了在两个布里渊区之间的辐射跃迁速率。
1956年，Pierre Aigrain鼓励美国无线电公司的Pankove着手制造半导体激光器。
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1958年，Pierre Aigrain在布鲁塞尔的一次国际会议上的发言中，第一个公开发表了在半导体中得到相干光的观点。
1961年，前苏联Basov等人最先公开发表：通过p-n结注入的载流子复合，在半导体中能够产生光子的受激辐射。
1962年，美国研究小组宣布获得了第一个实用的在低温下工作的半导体激光器。它是第一只注入式激光器，由矩形GaAs薄片做成，在薄片中扩散了一个平面p-n结，GaAs芯片固定在金属基片上，顶部接有导线。受激辐射的阈值电流密度特别高，因此只能在液态氮和脉冲状态工作，缺乏实用价值。
1963年，美国Kroemer和苏联的Alferov提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙的半导体之间，希望在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。
1967年，IBM公司的Woodall成功的用液态外延生长技术，制成了GaAs-GaAlAs单异质结激光器，一反过去用扩散法形成同质PN结的惯例，并且使得阈值电流下降了一个数量级。
1968-1970年，美国贝尔实验室研究成功GaAs-GaAlAs单异质结激光器，室温阈值电流进一步降低，标志着半导体激光器进入了第二个发展阶段——单异质注入型激光器。
1970年，美国的Hayashi和Panish报道了双异质结半导体激光器的阈值电流密度又降低了一个数量级，这标志着半导体激光器进入了第三个发展阶段——双异质结注入型半导体激光器。
在1962-1970期间，半导体激光器的研究工作主要集中在一下几个方面： （1）围绕着实现GaAs注入半导体激光器在室温下连续工作，对其结构进行了深入的研究，异质结构是一大突破。为改善半导体激光器的工作特性，在对注入有源区的载流子和其内辐射复合所产生的光子进行了限制，研究了多元固溶体形成良好结晶的外延生长办法。
（2）寻找新的半导体激光材料，扩展激光的波段范围和改善激光器的辐射特性。在几年内，从远紫外到远红外的一个广阔波段范围内探索了不少能产生受激光发射的材料。
（3）为了使半导体激光器得到实际应用，对激光器的动态特性进行了研究。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的
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的信息型激光器，另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。高功率半导体激光器在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加。 1.2.2 980nm半导体激光器的研究状况
目前国际上研制、生产高功率980nm光纤光栅外腔半导体激光器的公司主要有：Boekham、JDSU(SDL)、Lumics、AgilentTechnologies、Furukawa、Qphotonics、B1ueSky Research等。主要技术途径有：
(1)产品一
包括激光器、热敏电阻、制冷器和探测器。其有源区采用InGaAs单量子阱，垒层采用GaAsP材料，激光器芯片采用MOCVD生长。工作温度只能在-50oC~75oC，在560mA电流下输出功率达到230mW、阈值电流70mA、中心波长974nm。
(2)产品二
整个模块包括激光器、热敏电阻、制冷器和探测器。有源区采用InGaAs单量子阱，激光器芯片采用MBE生长，利用湿法腐蚀形成脊型波导，其达到的主要技术指标是：在250mA电流下输出功率达到lOOmW、阈值电流30mA、中心波长974nm、光谱宽度在-13dB下为0.2nm。工作温度在-20oC~75oC范围。
2001年T．P1iska等人研制的980nm光纤光栅激光器在10oC下达到250mW的功率输出。
2003年9月报道了sMohrdiek等人获得980nm波长光纤光栅半导体激光器输出功率达到550mW。
2005年T．Pliska等人报道了他获得980nm波长光纤光栅半导体激光器输出功率800mW的功率输出。
2006年德国光器件制造商Lumics推出改进型的980nm光纤光栅半导体激光器LU975M300。该激光器采用高精确度的监测二极管用来监测芯片和光纤的耦合效率，适合于那些没有前端光线抽头的EDFA应用。该器件采用14针蝶形低截面封装(30X15 2X78m)，内置致冷器，典型输出功率330mW，配合康宁HI 1060单模光纤和FBG。并推出LU0980M200：1lO～200mW功率输出，LU0980M330：210～330mW功率输出。
2007年3月19吕，美国JDSU公司推出两款高性能980nm半导体激光器，主要应用到EOFA模块上。其中新的3000系列激光器可以产生660mW的光功率。另外一款2945
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系列980nm半导体激光器的功耗相比以往产品降低了20％，该激光器可以产生400mW光功率，内部工作温度控制在45摄氏度。JDSU同时还透露其980nm导体激光器故障几率低于每十亿小时五次故障(5FIT)。并且JDSU推出新一代芯片具有低的闽值电流23mA；高的转换效率0．9W／A；高的kink—free功率l1W和更优的远场发射角．垂直发射16o。布拉格光栅锁定波长的激光器kinkfree功率达到700mW以上。
由于国内对功率型半导体激光器的需求增加，国内从2000年初就开始了980nm泵浦源半导体激光器的研制工作，主要研制单位是中科院半导体研究所和武汉邮电科学研究院。他们两个单位合作完成了一个国家“863\项目。采取的技术途径与Bookham公司的方案基本一致。达到的技术指标是器件的激射波长：980nm±5nm，尾纤输出功率约80mW，寿命约50000小时。另外现在深圳飞通光子公司提供产品出售。但是只是组装，没有管芯生产能力。达到的技术水平是，激射波长：972nm至985nm，阈制值电流30mA，在400mA下尾纤输出功率大于1lOmW。工作温度只能在-50oC~75oC。采取的技术途径也是采用楔型光纤透镜直接耦合。
长春理工大学的高功率半导体激光国家重点实验室近几年开始从管芯制作到器件封装进行980nm泵浦源半导体激光器研究。我们采用的方案也是国际流行的方案，只是我们拟采用短腔长管芯，降低器件的阈值电流密度，提高器件的斜率效率，降低器件的工作电流，达到小功耗的目的。但由于国内工业条件和加工技术以及相关器件的制备方面还与国外有明显的差距，在寿命和可靠性方面还有很大的不足，目前达到的980nm光纤光栅半导体激光器的输出功率为几十毫瓦量级。所以研制该器件替代进口具有重大的实际意义。
1.2.3 980nm半导体激光器的主要应用
980nm半导体激光器具有更低的阂值电流密度和高的微分量子效率，功耗小；温度依赖关系弱；对掺铒光纤具有高的泵浦效率；噪音系数低等特点，因此，它是掺铒光纤放大器(Erbium DopedFiberAmplifier，简称EDFA)的最理想泵浦源。EDFA将在实现新一代超高速、超大容量、超强功能全光光通讯网络中起非常重要的作用。由于掺铒光纤放大器其全光纤特点，便于和光纤通讯系统连接，使其成为光放大器的主选器件。
它在军事上也有许多应用，如激光测距、激光干扰、目标定位、目标跟踪、激光制导、浅海探障、甚至激光杀伤与破坏等，固体激光器技术已经成为每个国家提高其国防
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科技水平急需解决的关键技术之一，而半导体激光器泵谱是固体激光器发展的一个重要方向，它与传统的灯泵固体激光器相比，具有高的电光转换效率，易于调制，功耗低、体积小、重量轻、安全性好、寿命，同时具有结构更加紧凑、可靠性更高、方便和全天候等的优点，可以满足大多数军事装备对固体激光器的要求。
高速印刷是大功率半导体激光器另一个有较大发展空间的应用领域，传统的印刷主要采用卤素灯光源，不仅不利于环境保护，也不适用现代的高分辨率图象的印刷，半导体激光器由于其价格及性能和可靠性方面的诸多优势，使得其会在传统的印刷业得到广泛应用。该类高功率半导体激光器可以满足大面积高分辨率图象的高速印刷，同时降低了印刷设备对光学系统及机械系统的精度要求。
随着高功率半导体激光器制备技术的不断提高和价格的下降，材料处理与加工必然会成为大功率半导体激光器的最大应用市场。光纤耦合输出的高功率半导体激光器可应用于微加工、聚合物粘合、切割及烧结，例如：激光塑料焊接、激光金属焊接、激光熔覆与合金化、激光打标、激光切割等。
在医疗领域，半导体激光器作为热源主要应用于脱毛及外科中的组织切除与烧蚀手术。在眼外科方面，半导体激光器可用于治疗属于当今世界头号致盲病因的青光眼。内窥镜输出方式已经成为医疗用半导体激光器的普遍功率输出方式，对于某些特定工作波长的高功率半导体激光器，光动力学治疗己经成为癌症治疗的一种重要手段，这是因为有多种化学成分在630-770nm波段有光敏行为，利用肿瘤细胞中存在的这些化学成分，采用激光激发以后可以有选择性地杀伤肿瘤细胞[2]。另外，半导体激光器可用于磁共振成像(MRI)以诊断肺上病变。并且也证明，980nm波长比800nm波长更容易被水分子吸收，组织穿透深度小，能量更集中，对周围组织损伤小，还具有很好的凝固止血效果。因此高功率980nm半导体激光器可被用于医疗上的激光手术刀。 1．3 准直技术的意义与研究 1.3.1 半导体激光器光束准直的意义
近年来由于多个领域对高功率的需求，出现了输出功率较高的半导体激光器列阵，由多个激光发射单元构成，由于非对称光波导的影响，每个激光器输出的高斯光束在垂直于结平面方向和平行于结平面方向出现较大差别：
（1）两个方向有较大的且不对称的发散角；
（2）两个方向的束腰不在同一位置上，即存在固有象散；
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