若C3开路，则
2.20 改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
图P2.20
???1.5Ri?51.3k? Au?U?14.4mVUi?9.6mV Uo?Aui解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如解图P2.20所示。
解图P2.20
2.21 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
（2）利用等效电路法求解
?Au、Ri和Ro 。
图P2.21
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。
解图P2.21
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)IDSSIDQ?1mA/V
???gR??5 AumDRi?Rg?1M? Ro?RD?5k?
2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求
解电路的Q点和
?Au。
图P2.22
解：（1）求Q点：
根据电路图可知，UGSQ＝VGG＝3V。
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA
因此管压降UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数：
gm?2UGS(th)IDQIDO?2mAV
???gR??20AumD2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出
Ri和Ro的表达式。
解：
?Au、
?Au、Ri和Ro的表达式分别为
???g(R∥R)AumDLRi?R3?R1∥R2Ro?RD
图P2.23
2.24图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型??）及管脚（b、e、c、d、g、s）。
图P2.24
解：（a）不能。（b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 （d）不能。（e）不能。
（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
第三章多级放大电路
自测题
一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( )
（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。( )
（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。( )
（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) 解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√
二、现有基本放大电路：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路
根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小