一代管的典型性能为：光灵敏度为300?A?lm，辐射灵敏度(0.85?m)为20mA?W?1，亮度增益为2?104至3?104cd?m?2?lx?1，分辨率为35
?1lp?mm?1。一代管具有增益高、成像清晰的优点，但重量大，防强光能
力差。
（2）第二代像增强器
利用MCP的像管称为第二代像增强器（二代管）。
锐聚焦——类似单级一代管，但在管子的荧光屏前放置一MCP，称为
二代倒像管；
近贴聚焦——在光阴极和荧光屏之间双近贴放置MCP，荧光屏配制在
纤维光学面板或光纤扭像器上，称为二代近贴管。
二代管采用了不同于一代管的增益机构——MCP，MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管组成。通道芯径间距约12?m，长径比为40—60。通道的内壁具有较高的二次电子发射特性，入射到通道的初始电子在电场作用下使激发出来的电子依次倍增，从而在输出端获得很高的增益。MCP的两个端面镀镍，构成输入和输出电极。
常用二代近贴管有18／18，25／25，性能典型值为亮度增益约30 lp?mm。
二代倒像管有18／18，25／25，20／30，性能上较近贴管好些，但重量较大。
（3）第三代像增强器
第三代像增强器是在二代近贴管的基础上，将三碱光电阴极置换为GaAs NEA光阴极。NEA 光电阴极的制作过程极为复杂。但光灵敏度性能较一、二代多碱光阴极提高2-3倍。光谱响应向红外延伸，与夜天光辐射光谱更匹配，视距增大1.5-2倍。
5?103cd?m?2?lx?11.7?014cd?m?2?lx?1（18/18）、（25/25），分辨率约
SiO2钝化膜Si3N4抗反射层AlGaAs窗层GaAs激活层AlGaAs反应中止层GaAs过渡层?1玻璃面板SiO2/Si3N4层窗层激活层中止层?1GaAs基底SiO2钝化膜
三代管的商品水平为：光灵敏度为1000?A?lm，辐射灵敏度(0.85?m)为100mA?W?1，亮度增益为1?104cd?m?2?lx?1，分辨率为36
lp?mm?1。 三代管具有高灵敏度、高分辨力、宽光谱响应、高传递特
性和长寿命等优点。 二、微光摄像CCD器件 1. 带像增强器的CCD器件
灵敏度最高的ICCD摄像系统可工作在10-6lx靶面照度下。
像增强器光锥普通CCD2. 薄型、背向照明CCD器件
可在10-4lx（靶面照度）下工作。
前向照明保护层电极层绝缘层信号电荷P型硅衬底------背向照明
3. 电子轰击型CCD器件
外界照明光电阴极背向照明CCD