单片机红外遥控系统设计 毕业设计(2)

2019-08-31 15:48

四川信息职业技术学院毕业设计说明书(论文)

2.1.2红外接收部分

当红外接收器接收到控制脉冲后,通过控制方式传给单片机,由单片机处理后,在液晶显示器上显示。

单 片 机 (AT89C51) 红 外 接 收 液 晶 显 示 器 控 制 方 式 图2-2 总体框架图(接收部分)

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第3章 硬件电路设计

3.1 芯片选型

此次毕业设计主要分为红外接收部分与红外发射部分,所以我们必须用两块单片机,因此在红外发射部分我们选用的是单片机AT89C52,红外接收部分我们选用的是单片机AT89C51。

首先我们看看发射部分的单片机AT89C52有什么特点呢?

AT89C52是一个低电压,高性能CMOS 8位单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器(RAM)。AT89C52有40个引脚,32个外部双向输入/输出(I/O)端口,同时内含2个外中断口,3个16位可编程定时计数器,2个全双工串行通信口,2个读写口线。其中:

P3^2/INT0是外部中断0; P3^3/INT1是外部中断1;

P3^4/T0定时器/计数器T0计数输入端; P3^5/T1定时器/计数器T1记数输入端;

单片机AT89C52主要功能特性:

兼容MCS51指令系统,8k可反复擦写1000次Flash ROM; 32个双向I/O口,256x8bit内部RAM;

3个16位可编程定时/计数器中断,时钟频率0-24MHz; 2个串行中断,可编程UART串行通道; 2个外部中断源,共6个中断源; 2个读写中断口线,3级加密位;

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低功耗空闲和掉电模式,软件设置睡眠和唤醒功能。

接着,我们再来看看接收部分的单片机AT89C51的特点。AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的低电压,高性能CMOS 8位微处理器。AT89C51是一种带2K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的单片机。单片机的可擦除只读存储器可以反复擦除100次。其主要特性如下:

与MCS-51 兼容;

4K字节可编程闪烁存储器; 寿命:1000写/擦循环; 数据保留时间:10年; 128×8位内部RAM; 32可编程I/O线;

两个16位定时器/计数器; 5个中断源; 可编程串行通道;

低功耗的闲置和掉电模式。

3.2 液晶显示器(LCD)

3.2.1 LCD简介

此次毕业设计使用的是液晶显示器(如图3-1)作为显示工作,D0~D7口为双向数据总线。LCD数据读写方式可以分为8位和4位两种,以8位数据进行读写操作,则D0~D7都有效;若以4位方式进行读写操作,则只用到D7~D4。

RS为寄存器选择控制位,当RS=0时,并且做写入动作时,可以写入指令寄存器;若当RS=0时,且做读取动作时,可以读取忙标志及及地址计数器的内容;若RS=1时则用于读取数据寄存器。

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的动作。

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R/W是LCD的读写控制线。当R/W=0时,LCD执行写入动作,R/W=1时则做读取

VSSVDDVEERSRWE4561237891011121314D0D1D2D3D4D5D6D7 图3-1 液晶显示器(LCD) 3.2.2 LCD控制方式 通过CPU来控制LCD模块,方式十分简单,LCD模块的内部可以看成有两组寄存器,一个为指令寄存器,一个为数据寄存器,由RS引脚控制。所有对指令寄存器或数据寄存器的存取均需检查LCD内部的忙标志(Busy Flag),此标志用来告知LCD内部正在工作,并不允许接收任何的控制指令。而此位的检查可以令RS=0时,读取位7加以判断,当此位为0时,才可以写入指令寄存器或数据寄存器。

3.2.3 LCD初始化与显示流程 从通电开始通过延时,先经过判忙后再进行功能设置,过一段时间后可以设制显示状态(如设置行、位或阵列)再经过延时后清屏后再可以设置输入方式。

经过显示速度测试实现与LCD的速度匹配后,就可以实现对液晶的初始化、清屏和显示等操作了,而实现这些操作最基本的函数是对液晶控制器指令的操作函数,

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其显示实现过程如图所示。这些操作主要功能如下:

(1)LCD初始化。主要包括对控制器的显示频率、显示行数及显示缓冲区地址的设置。

(2)LCD清屏。由于系统上电时,显示缓冲区的数据是不固定的,显示出乱码;因此在液晶显示操作之前应将缓冲区清零。

(3)数据显示。液晶初始化结束后,系统将采集来的信号通过处理后用文字、图形等显示到LCD上。

LCD初始化 清零 读LCD地址 行地址选择 列地址选择 定入显示数据 状态显示 图 3-2 LCD显示流程图

3.3晶振电路

80C51芯片内部有一个用于构成振荡器的高增益反相放大器,输入端引脚为XTAL1,输出端引脚为XTAL2。当工作于内部时钟方式时硬件电路如图3-2所示。在芯片外部,XTAL1和XTAL2之间跨接晶体振荡器和两个微调电容,和芯片内部的振

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