1. 静态RAM与动态RAM有何区别？
随机存取存储器RAM用来存放数据或指令。其特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作，读写方便，使用灵活；缺点是易失性存储器。
（1）静态RAM（SRAM）是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的，因此，其保存的信息在不断电的情况下，是不会被破坏的。其特点是速度快、片容量小、功耗大。用于RAM容量较小或要求存取速度较高的系统中。在计算机中常用于超高速缓存。
（2）动态RAM（DRAM）是靠电容的充、放电原理来存放信息的，必须定时进行刷新。其特点是存储元中管子的数目较少（1个），有利于集成，速度比SRAM慢，片容量大，功耗低，成本比SRAM低 。缺点是每隔一定时间需要刷新一次。适合于构成RAM容量较大或要求低功耗的存储器系统。在计算机中常用于内存。
2. ROM、PROM、EPROM、E2PROM在功能上各有何特点？
只读存储器（简称ROM）是指在微机系统的运行过程中，只能读出，不能写入一类存储器。其特点是具有非易失性，写入或擦除一般需用特殊方法。
（1）ROM：只能读出，不能修改。设计周期长，可靠性高、集成度高。厂家根据用户的程序或数据对芯片进行二次光刻制造的，一旦光刻完，则无法更改。少量生产造价高，适用于已成熟产品的批量生产。
（2）一次可编程的PROM：用户可根据需要修改存储器中的某些存储单元，只能一次性修改，即：一次性编程。可靠性差，使用具有一定的局限性。
（3）紫外线可擦除EPROM：用户可根据需要来写入。修改比较方便，可多次重复改写。当需要更新存储内容时还可以将原存储内容抹去，再写入新的内容。一般擦除信息需用紫外线照射l5~20分钟。
（4）电擦可编程E2PROM：用户可根据需要来写入。修改比较方便，可多次重复改写。当需要更新存储内容时可以用电方法将原存储内容抹去，再写入新的内容。
（5）闪速存储器（FLASH）：是高密度、非易失性的读/写半导体存储器，一次性擦除，编程速度快。它既具有E2PROM的特点，又有RAM的特点，是一种全新的存储器。
8. 现有一存储体芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储器，需要多少这样的芯片？每块芯片需要多少寻址线？整个存储系统需要多少寻址线？ 解：
（1）组成4KB的存储器需要存储体芯片的数量为： （8/4）×（4×1024/512）=16片
（2）因为512=29
所以每块芯片需要寻址线数目为：9根
（3）因为每块芯片需要寻址线数目为9根，整个存储系统需要8组存储体芯片（每组两片），用138译码器，则至少需要3根地址线。因此整个存储系统需要9+3=12根地址线。
13. 用8K×8位的EPROM2764，8K×8位的RAM6264和译码器74LS138构成一个16K字ROM，16K字RAM的存储器系统。8086工作在最小模式，系统带有地址锁存器8282，数据收发器8286。画出存储器系统与CPU的连接图，写出各芯片的地址分配。 解：
（1）用8086CPU组成16K字 ROM，16K字 RAM的存储器系统。
需要4片EPROM2764，4片RAM6264。电路原理图如下图所示。
1#、2#2764的地址范围为：00000～03FFFH （1#为偶数地址， 2#为奇数地址）， 3#、4#2764的地址范围为：04000～07FFFH （3#为偶数地址， 4#为奇数地址）， 1#、2#6264的地址范围为：08000～0BFFFH （5#为偶数地址，6#为奇数地址），
3#、4#6264的地址范围为：0C000～0FFFFH （7#为偶数地址，8#为奇数地址）。
（2）用8088CPU组成16KB ROM，16KB RAM的存储器系统。
需要2片EPROM2764，2片RAM6264。电路原理图如下图所示。
1#2764的地址范围为：00000～01FFFH （1#为偶数地址， 2#为奇数地址）， 2#2764的地址范围为：02000～03FFFH （3#为偶数地址， 4#为奇数地址）， 1#6264的地址范围为：04000～05FFFH （5#为偶数地址，6#为奇数地址），
2#6264的地址范围为：06000～07FFFH （7#为偶数地址，8#为奇数地址）。