半导体物理学期末复习试题及答案二(2)

5.光均匀照射在电阻率为6??cm的n型Si样品上，电子－空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。（?n?3600cm2/V?s，?p?1700cm2/V?s）

1?1???????cm解：光照前0?6

光照后?p?g?，???0??pq??n??p??27.3???cm?

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