本机是制造中、大规模集成电路，传感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻设备。 主要技术参数
1、适用的掩模尺寸： （1）100*100*2-3mm （2）75*75*2-3mm （3）63*63*2-3（选购） 2、适用的硅片尺寸： ф35-ф75mm 3、光刻图形线条： 3~4чm，最细可达2чm 4、掩模与硅片之间的相对位移范围： X/Y±2.5mm，（旋转）±6° 5、承片台（硅片）绕主轴旋转： 粗调360度，可微调 6、承片工作台综合移动范围： X,Y合成ф75mm 7、承片台的球座平面至掩模板面升降： 0-7.5mm 8、曝光灯源：GCQ200W超高压汞灯，曝光波长： 300-436nm 9、曝光系统能量不低于： 7mw 10、曝光系统的照度均匀度在φ75mm范围内： ±5% 11、显微镜的照明波长： ≈545nm 12、曝光时间控制范围： 0.1秒~99分 13、双目显微镜的放大倍数： （1）目镜共二种：10X,16X （2）平视场物镜共三种：6X,9X,15X （3）合成放大倍率：60X-240X 14、真空接触压力： ≥0.7kgf 15、装箱尺寸： 1000*850*980mm（2只） 16、装箱重量： 200kg