读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表5—8。
表5—8 1 ID（mA） Vgs（V） （2）跨导gFS测试
在主回路的“2”端与IGBT的“18”端串入安培表，将RP左旋到底，其余接线同上。 将RP逐渐向右旋转，读取ID与对应的VGS值，测量5-6组数据，填入表5—9。 ID（mA） Vgs（V） 表5—9 1 （3）导通电阻RDS测试
将电压表接入“18”与“17”两端，其余同上，从小到大改变VGS，读取ID与对应的漏源电压VDS，测量5-6组数据，填入表5—10。 表5—10 1 ID（mA） Vgs（V） 2．EXB840性能测试 （1）输入输出延时时间测试
IGBT部分的“1”与“13”分别与PWM波形发生部分的“1”与“2”相连，再将IGBT部分的“10”与“13”、与门输入“2”与“1”相连，用示波器观察输入“1”与“13”及EXB840输出“12”与“13”之间波形，记录开通与关断延时时间。
ton= ，toff=
（2）保护输出部分光耦延时时间测试
将IGBT部分“10”与“13”的连线断开，并将“6”与“7”相连。用示波器观察“8”与“13”及“4”与“13” 之间波形，记录延时时间。
（3）过流慢速关断时间测试
接线同上，用示波器观察“1”与“13”及“12”与“13”之间波形，记录慢速关断时间。
（4）关断时的负栅压测试
断开“10”与“13”的相连，其余接线同上，用示波器观察“12”与“17”之间波形，记录关断时的负栅压值。
（5）过流阀值电压测试
断开“10”与“13”，“2”与“1”的相连，分别连接“2”与“3”，“4”与“5”，“6”与“7”，将主回路的“3”与“4”分别和“10”与“17”相连，即按照以下表格的说明连线。
IGBT：17 IGBT：10 主回路：4 主回路：3 IGBT：4 IGBT：5 IGBT：6 IGBT：7 IGBT：2 IGBT：3 IGBT：12 IGBT：14 RP左旋到底，用示波器观察“12”与“17”之间波形，将RP逐渐向右旋转，边旋转边监视波形，一旦该波形消失时即停止旋转，测出主回路“3”与“4”之间电压值，该值即为过流保护阀值电压值。
（6）4端外接电容器C1功能测试——供教师研究用
EXB840使用手册中说明该电容器的作用是防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容器）。
a．C1不接，测量“8”与“13”之间波形。
b．“9”与“13”相连时，测量“8”与“13” 之间波形，并与上述波形相比较。 3．开关特性测试
（1）电阻负载时开关特性测试
将“1”与“13”分别与波形发生器“1”与“2”相连，“4”与“5”，“6”与“7”，‘2“与”3“，“12”与“14”，“10”与“18”， “17”与“16”相连，主回路的“1”与“4”分别和IGBT部分的“18”与“15”相连。即按照以下表格的说明连线。 IGBT：1 IGBT：13 IGBT：4 IGBT：6 IGBT：2 IGBT：12 PWM：1 PWM：2 IGBT：5 IGBT：7 IGBT：3 IGBT：14 IGBT：18 IGBT：17 IGBT：10 IGBT：15 主回路：4 主回路：1 IGBT：16 IGBT：18 用示波器分别观察“8”与“15”及“14”与“15”的波形，记录开通延迟时间。 （2）电阻，电感负载时开关特性测试
将主回路“1”与“18”的连线断开，再将主回路“2”与“18”相连，用示波器分别观察“8”与“15”及“16”与“15”的波形，记录开通延迟时间。。
（3）不同栅极电阻时开关特性测试
将“12”与“14”的连线断开，再将“11”与“14”相连，栅极电阻从R5＝3kΩ改为R4=27Ω，其余接线与测试方法同上。
4．并联缓冲电路作用测试
（1）电阻负载，有与没有缓冲电路时观察“14”与“17”及“18”与“17”之间波形。
（2）电阻，电感负载，有与没有缓冲电路时，观察波形同上。
IGBT+5VS1R31524C19101112S2+18V1819R11R271466&4VD1EXB8403+R4R51423VD2R7+5V&59135117C2&PWMR1 84S1+5V1R1L1R2RPR276555153132S2C1C2R3245．过流保护性能测试，栅计电阻用R4 在上述接线基础上，将“4”与“5”，“6”与“7”相连，观察“14”与“17”之间波形，然后将“10”与“18”之间连线断开，并观察驱动波形是否消失，过流指示灯是否发亮，待故障消除后，揿复位按钮即可继续进行试验。 六．实验报告
1．根据所测数据，绘出IGBT的主要参数的表格与曲线 。
2．绘出输入、输出及对光耦延时以及慢速关断等波形，并标出延时与慢速关断时间。 3．绘出所测的负栅压值与过流阀值电压值。
4．绘出电阻负载，电阻电感负载以及不同栅极电阻时的开关波形，并在图上标出tON 与tOFF。
5．绘出电阻负载与电阻、电感负载有与没有并联缓冲电路时的开关波形，并说明并联缓冲电路的作用。
6．过流保护性能测试结果，并对该过流保护电路作出评价。 7．实验的收获、体会与改进意见。
+2+2015R616SV+VD1R3RP七．思考题
1．试对由EXB840构成的驱动电路的优缺点作出评价。
2．在选用二极管V1时，对其参数有何要求？其正向压降大小对IGBT的过流保护功能有何影响？
3．通过MOSFET与IGBT器件的实验，请你对两者在驱动电路的要求，开关特性与开关频率，有、无反并联寄生二极管，电流、电压容量以及使用中的注意事项等方面作一分析比较。
实验八 采用自关断器件的单相交流调压电路研究
一．实验目的
1．掌握采用自关断器件的单相交流调压电路的工作原理、特点、波形分析与使用场合。 2．熟悉PWM专用集成电路SG3525的组成、功能、工作原理与使用方法。
二．实验内容
1．PWM专用集成电路SG3525性能测试 2．控制电路相序与驱动波形测试 3．带与不带电感时负载与mos管两端电压波形测试 4．在不同占空比条件下，负载端电压、负载端谐波与输入电流的位移因数测试。 0wtU(t)(a)三．实验系统组成及工作原理 U(t)随着自关断器件的迅速发展，采用晶闸管移相控制的交流调压设备，已逐渐被采用自关断器件（GTR、MOSFET、IGBT等）的交流斩波调压所代替，与移相控制相比，斩波调压具有下列优点： （1）谐波幅值小，且最低次谐波频率高，故可采用小容量滤波元件； （2）功率因数高，经滤波后，功率因数接近于1。 （3）对其他用电设备的干扰小。 因此，斩波调压是一种很有发展0wt(b)U(t)0(c)wt图5-9前途的调压方法，可用于马达调速、调温、调光等设备。本实验系统以调光为例，进行斩波调压研究。 斩波调压的主回路由MOSFET及其反并联的二极管组成双向全控电子斩波开关。当MOS管分别由脉宽调制信号控制其通断时，则负载电阻RL上的电压波形如图5—9b所示（输