2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考
电子类技能考试样库
第一章.晶体二极管及二极管整流电路
第一节.识记二极管单向导电性，二极管伏安特性和主要参数； A:判断题：
1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。（） 2.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（） 3.在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。（）
4.用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位（）。
5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （） 6.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。（） 7 .二极管和三极管都是非线性器件。（ ）
8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（）
9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （） B：选择题
1.P型半导体的多数载流子是（ ）。 A. 电子 B. 空穴 C. 电荷 D. 电流
2.晶体硅或锗中，参与导电的是（ ）。 A.离子 B.自由电子 C.空穴 D.B和C 3.下列说法正确的是（ ）。 A.N型半导体带负电 B.P型半导体带正电
C.PN结型半导体为电中性体 D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生 4.N型半导体的多数载流子是（ ）。 A.电流 B.自由电子 C.电荷 D.空穴
5.关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ ）。 A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
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D.在半导体中有自由电子．空穴．离子参与导电
6.稳压二极管是利用PN结的（ ）来实现稳压性能的。 A.反向击穿特性 B.正向导通性 C.反向截止性 D.单向导电性 7.锗二极管导通时，它两端电压约为（ ）。 A.1V B.0.7V C.0.3V D.0.5V
8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（ ）。 A.自由电了是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极 C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体 D.在PNP 型 晶体管中，基区是N型半导体
9.半导体的导电能力随温度升高而（ ），金属导体的电阻随温度升高而（A.降低/降低 B.降低/升高 C.升高/降低 D.升高/升高 10. PN结呈现正向导通的条件是( )。 A. P区电位低于N区电位 B. N区电位低于P区电位 C. P区电位等于N区电位 D. 都不对
11.在半导体PN结两端加（ ）就可使其导通。 A.正向电子流 B.正向电压 C.反向电压 D.反向电子流 12二极管的反向电流随着温度降低而( )。 A.升高 B. 减小 C.不变 D.不确定
13.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是( )： A.具有单向导电性 B.具有放大性 C.具有改变电压特性 Ｄ.以上都不对 14. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A.三价； B.四价； C.五价； D.六价。
15.本征半导体是（ ）。 A.掺杂半导体 B.纯净半导体 C.P型半导体 D.N型半导体
16.半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是（ ）。 A．具有放大特性 B．具有改变电压特性 C．具有单向导电性 D．具有增强内电场性 第二节.理解晶体二极管的结构.分类.型号及识别；
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）。 A:判断题：
1.使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（）
2.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（） 3.二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。（）
4.某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。（ ） 5.用MF47型万用表测试发光二极管，应选R×1K档。（）
6.稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（） 7.普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（） 8.光敏三极管只有2个引脚，其基极做成了光栅。（） 9.双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ ） B：选择题
1.某稳压二极管，其管体上标有?5V6?字样，则该字样表示（ ）。 A.该稳压管稳压值为5.6V B.该稳压管稳压值为56V C.该稳压管稳压值为11V D.该稳压管稳压值为1V
2.型号为1N4007的二极管，其管体一端有一白色色环，则该白色环表示（ ）。 A.二极管阳极 B.仅仅表示该管为二极管 C.二极管阴极 D.无任何意义
3.稳压管作稳压工作时，其两端应加（ ）。 A.正向 电压 B.反向 电压 C. A和B D. A或B 4.稳压二极管的正常工作状态是（ ）。 A.导通状态 B.截止状态 C.反向击穿状态 D.任意状态
5.用MF47型万用表测量普通小功率二极管性能好坏时，应把万用表拨到欧姆档的（档。 A.R×1 B.R×100 C.R×1K D.R×100或R×1K
6.用万用表测二极管，正．反方向电阻都很大，说明( )。 A．管子正常 B.管子短路 C.管子断路 D.都不对 7.使用稳压管时应()。 A.阳极接正，阴极接负 B.阳极接负，阴极接正 C.任意连接 D .A或B 第三节.理解二极管整流电路原理；
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）A:判断题：
1.整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。（） 2.用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。（） B：选择题
1.关于二极管的功能下列说法错误的是()。 A.整流 B.滤波 C.钳位 D.小范围稳压
2.晶体二极管的主要功能之一是( )。 A．电压放大
B．线路电流放大 C．功率放大
D．整流
3.在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ ）。 A.四 只 B.三只 C.二 只 D.一 只 4.电路如图所示，则处于导通状态的二极管是( )。
A.只有D1 B.只有D2 C.D1和D2 D.D1和D2均不导通
第四节.运用常用滤波电路和硅稳压二极管稳压电路的原理进行分析计算。 A:判断题：
1.电容滤波器，电容越大，则滤波效果越好。（ ） B：选择题
1.在整流电路中，设整流电流平均值为I0， 则流过每只二极管的电流平均值 ID?I0 的电路是（ ）。
A.单相桥式整流电路 B.单相半波整流电路 C.单相全波整流电路 D.以上都不行
2.如图（1）所示，两Si稳压二极管的稳压值分别为3V和6V，如果输入电压UI为8V，则输出电压U0为（ ）。 A.3V B.6V C.9V D.0.7V
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第二章.晶体三极管和单级低频小信号放大器
第一节.识记晶体三极管的结构.分类.符号及性质； A:判断题：
1.放大电路的三种组态，都有功率放大作用。（ ）
2.晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，射极和集电极可相互调换使用。（ ） B：选择题
1.晶体管的放大作用主要体现在（ ）。 A．正向放大
B．反向放大
C．电流放大
D．电压放大
2.某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（ ） A.高频小功率NPN型硅三极管 B.高频大功率NPN型硅三极管 C.高频小功率PNP型锗三极管 D.高频大功率PNP型锗三极管 第二节.识记晶体三极管的放大条件.放大作用和电流分配关系； A:判断题：
1.三极管是构成放大器的核心，三极管具有电压放大作用。（ ）
2 . 晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足Ic=βIb的关系。（ ） 3 . 放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（） B：选择题 1.在共射极放大器中，输入信号和输出信号相位差为（ ）。 A.90° B.180° C.360° D.0°
2.三极管的集电结反偏，发射结正偏时，三极管处于（）。 A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态 D.开关状态
3.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于25μA,正常工作时它的集电极电流为 A.0.975mA B.0.75 mA C.1.025 mA D.1.25 mA 4.三极管具有放大作用，其实质是（ ）。
A.三极管可把小能量放大成大能量 B.三极管可把小电压放大成大电压 C.三极管可把小电流放大成大电压 D.三极管可用小电流控制大电流
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