(6) CVD方法可获得平滑的沉积表面
(7) 辐射损伤低。这是制造MOS半导体器件等不可缺少的条件 化学气相沉积的主要缺点是：
反应温度太高，一般要1000℃左右，许多基体材料都耐受不住CVD的高温，因此限制了它的应用范围
四、几种新型化学气相沉积技术
1、金属有机化合物化学沉积技术( MOCVD )
MOCVD的发展是半导体外延沉积的需要。它是把金属烷基化合物或配位化合物与其它组分(主要是氢化物)送入反应室，然后金属有机化合物分解沉积出金属或化合物。MOCVD的主要优点是沉积温度低，这对某些不能承受常规CVD的高温基体是很有用的，如可以沉积在钢这样一类的基体上；其缺点是沉积速率低，晶体缺陷度高，膜中杂质多；且某些金属有机化合物具有高度的活性，必须加倍小心。
2、激光化学气相沉积技术( LCVD )
LCVD是一种在化学气相沉积过程中利用激光束的光子能量激发和促进化学反应的薄膜沉积方法。激光作为一种强度高、单色性好和方向性好的光源，在CVD中发挥着热效应和光效应。一方面激光能量对基体加热，可以促进基体表面的化学反应，从而达到化学气相沉积的目的；另一方面高能量光子可以直接促进反应物气体分子的分解。利用激光的上述效应可以实现在基体表面的选择性沉积，即只在需要沉积的地方才用激光光束照射，就可以获得所需的沉积图形。另
外，利用激光辅助CVD沉积技术，可以获得快速非平衡的薄膜，膜层成分灵活，并能有效地降低CVD过程的衬底温度。如利用激光，在衬底温度为50 ℃时也可以实现二氧化硅薄膜的沉积。目前，LCVD技术广泛用于激光光刻、大规模集成电路掩膜的修正、激光蒸发—沉积以及金属化等领域。LCVD法氮化硅薄膜已达到工业应用的水平，其平均硬度可达2200HK；氮化钛、碳化硅 及碳化钛膜正处于研发阶段。
3、等离子增强化学气相沉积技术( PECVD )
近年来发展的等离子体增强化学气相沉积法也是一种很好的方法，最早用于半导体材料的加工，即利用有机硅在半导体材料的基片上沉积二氧化硅，该方法利用等离子中的电子动能来激发化学气相反应。PECVD将沉积温度从1000℃降低到600℃以下，最低的只有300℃左右。因为PECVD利用了等离子体环境诱发载体分解形成沉积物，这样就减少了对热能的大量需要，从而大大扩展了沉积材料及基体材料的范围。目前，等离子增强化学气相沉积技术除了用于半导体材料外，在刀具、模具等领域也获得成功的应用。如利用PECVD在钢件上沉积出氮化钛等多种薄膜不仅提高了模具的工作温度，也使模具的寿命大大提高。
五 化学气相沉积技术发展前景展望
随着工业生产要求的不断提高, CVD 的工艺及设备得到不断改进, 现已获得了更多新的膜层, 并大大提高了膜层的性能和质量。与此同
时交叉、综合地使用复合的方法, 不仅启用了各种新型的加热源, 还充分运用了各种化学反应、高频电磁( 脉冲、射频、微波等) 及等离子体等效应来激活沉积离子, 成为技术创新的重要途径。CVD 技术由于采用等离子体、激光、电子束等辅助方法降低了反应温度, 使其应用的范围更加广阔, 下一步应该朝着减少有害生成物, 提高工业化生产规模的方向发展。同时, CVD 反应沉积温度的更低温化, 用 CVD 更精确地控制材料的组成、结构、形态与性能技术的开发, 厚膜涂层技术、利用残余应力提高材料强度的技术、大型连续 CVD 薄膜及涂层制备技术、新材料的合成技术, 具有新的结构的反应器的研制, 新的涂层材料及具有新的更能的材料体系的探索等, 将会成为今后研究的主要课题。
参考文献
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