一、名词解释
迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度
复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心
空间电荷：在pn结附近的电离施主和电离受主所带的电荷 陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用 载流子：电子与空穴
金刚石结：构形成的晶体结构是一个正四面体，具有金刚石晶体结构 本征电离：
散射：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离电了的杂质离子发
生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，
就是说电子在半导体中传播时遭到散射。
浅能级杂质的作用：提供载流子
深能级杂质的作用：起复合中心的作用
杂质补偿：施主电子刚好够填充受主能级，但是不能向导带和价带提供电子和空穴，这种现象
称为杂质的高度补偿 扩散定律：SP= －DP
d?p(x)?x 这个公式描写了非平衡载流子空穴的扩散规律，称为扩散定律。
强电场效应：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡
状态时大，因而载流子和晶格系统不在处于热平衡状态。
非平稳载流子：比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子
准费米能级：导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准
费米能级”
稳态扩散方程：Dp
d?p(x)dx22??p(x)?
扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离。称为扩散长度 爱因斯坦关系：
Dn?n?k0Tq
Dp?p?k0Tq
判断题
玻尔兹曼分布函数可以简单地看成是能量的负指数分布函数。（√）
费米能级与杂质浓度和温度相关，但无论在任何条件下都不能使费米能级进入导带。（×） 半导体中的载流子浓度是其最高布里渊区内价电子的浓度。（×）
n0p0?ni不仅适用于本征半导体而且适用于含杂质半导体。（√）
2在本征电离区多子与少子的浓度差别将不会太大。（√）
施主杂质能提供电子给导带，即使在补偿型杂质半导体中，只要ND-NA的浓度一定，在相同温度下，电导率就是一定的。（×）
格波在所有晶体中对电子的散射作用均相同。（×）
在低温极限T→0K时，杂质极少电离，故费米能级与杂质能级无关。（×）
在声学波中，对电子起散射作用的主要是长波，而长波中有一支纵波和两支横波。对电子起散射作用的主要是纵波，并能引起能带的波形起伏。（√）
作为半导体的杂质，浅能级提供载流子而深能级束缚载流子。（×）
以闪锌矿型结构组成的半导体，其原子间键的作用既具有共价性，又具有离子性。（√） 只要在硅中掺入低于4价的元素，硅就会成为P型半导体.（×）
有效质量实质上反映了半导体内部电场对电子作用的强弱。（√） 简答题
试简述费米能级的定义，在固定温度下与自由能F的关系；在平衡状态下与ｎ型杂质浓度的关系和在非平衡状态下发生的变化。
答：费米能级表示的是半导体中电子填充满的最高能级的值；在固定温度下，当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级；n型杂质浓度越高，费米能级就越靠近导带，在非平衡状态下，费米能级会分裂为导带准费米能级和价带准费米能级 试解释：“位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心”的原因 答：由公式U?Ntr?np?ni2??Et?Ei?n?p?2nich???k0T?可知，当Et?Ei时，复合率U趋向于极大。因此位
于禁带中央附件的深能级是最有效的复合中心。
试论述载流子在半导体中受到散射的主要机理及其温度的影响。
答：其根本原因是周期性势场的被破坏。如果半导体内部除了周期性势场外，又存在一个附加
势场△V的作用，就好使能带中的电子发生在不同k状态间的跃迁。
1. 电离杂质的散射Pi∝NiT?32，温度越高，载流子热运动的平均速度越大，可以较快地掠过
杂质离子，偏转较小，所以不易被散射。
2. 晶格振动的散射 （1）声学波散射 Ps∝T32
3212（2）光学波散射P0 ∝
(??1)(k0T)????11??
????1?exp()?1?f??1????k0T???k0T?当温度较低时，即T???1k0时，括号中的因子迅速地随着温度的下降而减小，即平均声子数迅速降低，因此散射概率随着温度的下降而很快减小。随着温度的升高，平均声子数增多，光学波的散射概率迅速增大
简述非平衡载流子的主要复合过程
答：1.直接复合：电子在导带与价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合
2.间接复合：①俘获电子过程，复合中心能级Et从导带俘获电子；②发射电子过程，复合中心能级Et上的电子被激发到导带；③俘获空穴过程，复合中心能级Et上的电子被激发到导带；④发射空穴过程，价带电子被激发到复合中心能级Et。 简述半导体能带的形成
答：半导体中，N个原子相互靠近结合成晶体后每个电子都要受周围原子势场的作用，其结果
是每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相互很近的能级，这N个能级组成一个能带。这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中做共有化运动。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。
试解释在非平衡状态，小注入条件下，少数载流子起主要作用的原因。
答：在少注入情况下，非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度少得多，但非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大得多，故它的影响就显得非常重要，相对来说，非平衡多数载流子的影响可以忽略。故少注入情况下，少数载流子起主要作用。
这复习资料总觉的有点不靠谱或者坑爹，请班里的大神斧正斧正啊