3、单击【Simulate】按钮进行DC仿真，仿真结束后将弹出Data Display窗口。“BJT_curve_tracer”设计模版中包含显示模版，所以仿真结束后已有相关的DC仿真结果参数，如下所示：
我们选择在VCE=2V，IC=20mA的直流工作点下进行其他的设计。 4、直流工作点仿真
4.1、保存当前的原理图，并另存为一个新的原理图“BFP640_DC_Bias”。 4.2、删除参数扫描控件“PARAMETER SWEEP”,和显示模版。
将“VAR”控件下的“VCE”更改为我们需要的“VCE=2V”，
更改“DC”控件下的扫描参数为“IBB”，开始为10uA ,结束为200uA ，步进为1uA 。
插入B极节点电压线符号“VBE”。
4.3、设置完后可单击【Simulate】按钮进行仿真。 设计完的原理图如下所示：
5、仿真结束后，在【palette】下打开【List】并插入VCE和IC.i参数。 从仿真结果我们可以看到使得IC.i为20mA 的IBB和VBE值得：
我们选择用5V电压为该NPN管配置直流偏置，可以计算偏置网络出Rc和Rb的值。插入方程，并新打开一个“List”列表，如下所示：
可以看出直流偏置网络下，Rc=150 Ohm和Rb=11.6K时使IC约为20 mA。
6、带有偏置网络的直流工作点仿真
6.1、保存当前原理图，并以新的设计名“BFP640_DC_BiasNetwork”另存该原理
图； 6.2、删除I_Probe，I_DC和IBB，并添加Rc=150 Ohm和Rb=11.6K，更改VCE=5V。 如下所示：
6.3、单击菜单栏“Simulate”下的【Simulation Setup】，取消“Open Data Display when simulation completes”选项前的勾，仿真完成后，不会自动打来Data Display 窗口。
6.4、单击【Simulate】按钮进行仿真，仿真结束后，单击菜单栏“Simulate”下的【Annotate DC Solution】，将在原理图的各节点显示电流和电压值。
从仿真结果可知，IC=19.9mA ，VCE=2.0V,IBB=96.6uA ，VBE=879mV 。以上直流偏置网络仿真结果，满足设计要求。
三、稳定性系数及S参数仿真
1、以设计名“BFP640_S_Parameter”另存为新的原理图；
2、以下图所示编辑原理图，并加入S参数仿真控件，稳定性系数控件Mu，源稳定原图控件S_StabCircle，负载稳定原图控件L_StabCircle。