绕长度方向（X 轴）逆时针旋转35°即得到晶片的切割方位，（XYtl）5°/-50°厚度t（X 轴）逆时针旋转5°，再绕长度l（Y 轴）顺时针旋转50°，即是石英片的切割方位。
石英晶体的习惯符号多数用二个英文大写字母表示，例（YXl）35°切型习惯 符号用AT 表示，（XYtl）5°/-50°用NT 表示。 ② 常用石英晶体切型：
二、 AT 石英谐振器的特性 1、频率方程
① 特点：a、频率高，范围宽500KHz~350MHz。 b、压电活力高。
c、宽温度范围内（-55°~85℃）频率温度特性好。 d、加工方便，体积小，适于大批量生产。
② 振动频率方程：fn=n Kr/t (n=1、3、5、7…) 当l/t＞＞20 w/l＞＞20 或φ/t＞＞60 时，上式Kr=1670KHz.mm
例：25MHz，FUNDAMENTAL 时，厚度是66.8μm
再薄的实际上加工不可能，而利用OVERTONE 的形式，可加工具有从25MHz 到200MHz 频率的晶体。
2、AT 切石英谐振器的频率温度特性
① 温度特性：石英谐振器的频率随温度变化而变化的性质。 石英谐振器的频率温度特性方程为：
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△f/f0=(f-f0)/f0=a0(T-T0)+b0(T-T0)+c0(T-T0) 其中
T：任意温度 T0：参考温度
f0：在参考温度T0 时的频率
a0、b0、c0 为T0 时的一级、二级、三级温度系数。
石英谐振器的温度系数Tr=(l/f0)*(df/dT)=a0+2b0(T-T0)+3c0(T-T0)2 其中：
a0=(l/f0)* (df/dT) T-T0 b0=(1/2f0)*(d2f/dT3) T-T0 c0=(1/6f0)*(d3f/dT3) T-T0
Tr 为任意温度T 时的频率温度系数，Tr 绝对值的大小表示该温度附近频率随温 度变化的大小，当Tr=0 时，则表示在该温度时频率随温度的变化为零，温度稳 定性最好，当T=T0 时，Tr=a0，这表明只有在a0=0 时，才能Tr=0，所以a0=0 的切角称为零温度系数切角，AT 切型的切角为35°15′时： a0≈0
b0=0.39310-9/℃2 c0=109310-12/℃3
而a0、b0、c0 随切角而变化，其变化率为： da0/dφ=-5.15310-6/℃2度 db0/dφ=-4.7310-9/℃22度 dc0/dφ=2310-12/℃32度 φ为AT 切型的切角
② AT 切频率特性曲线与特性方程：
频率特性曲线随切型、切角、尺寸、密度和弹性系数而变化，下图（1） 是各种切型理论上的温度曲线
在φ=35°05′~35°30′范围内AT 切型频率温度特性曲线如下图（2）所示 从图可知，在拐点（Ti） (d2f/dT2)T1=0
在极点（Tm、Tn）有(df/dT)Tm.n=0 若选Ti 为参考温度，则： 曲线A：b0=0 曲线方程为：
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△f/f0= a0(T-Ti) +c0(T-Ti)
曲线B：a0=0 b0=0 (Ti 为参考温度)
△f/f0= c0(T-Ti)
3
曲线B 在拐点附近较窄的温度范围内△f/f 的变化很小，适合于窄温小公差 产品的要求，曲线A 在拐点附近较宽的温度范围内，由于存在两个极点，△f/f 的变化很小，能够满足宽温度范围的使用要求，其差别在于A 曲线的一级温度 系数a0≠0，所以在实际应用中为了扩大温度使用范围，当曲线B 切角确定后， 还应采取稍微改变切角的方法，使a0 变得不为零，即可达到宽温度使用要求， AT 切的拐点温度为Ti=27℃，不同切角极点温度为：
③ 影响AT 切型频率温度特性的因素：
a、切角φ的影响，当晶片的外型确定后，改变频率温度特性曲线的最有效的方 法是改变晶片切角，理论上AT 切的温特曲线如图所示，这些曲线是切角在 基准角的基础上各变化2′得到的。
水晶片切断角度的中心值也根据PACKAGE TYPE 的大小（水晶片的大小）， 发振频率（水晶片的厚度）及水晶片的加工法等所变化，所以不能肯定此曲 线的0 必须是AT CUT 水晶片的切断角度的35°15′，而且这些曲线模样也 在各种条件下可变，故此频率温度特性曲线不一定符合AT CUT 水晶片，因 此，水晶振动子的频率特性有各种制造上的制约，实际上不能照样适用理论 曲线。
b、晶片尺寸的影响：晶片厚度变薄时，需增加切角，以满足温度特性。 晶片直径变小时，需增加切角，以满足温度特性。 磨双凸或倒边使晶片φ/t 增加时，需减小切角。
c、泛音次数的影响：基频，35°15′ 3 次泛音，35°15′+8′=35°23′ 5 次泛音，35°15′+10′=35°25′ 7 次泛音，35°15′+12′=35°27′
d、电轴偏差的影响：晶片电轴方向的切角误差XX′≤30′，电轴方向切角的 误差光轴方向的切角误差约为XX′=45′ ZZ′=1′ d1、等效电路
谐振时 Z=R1 fs=1/2π(L1C1)1/2 反谐振时 Z=1/ωp2c02R1 L1：动态电感 C1：动态电容
R1：等效串联谐振电阻 C0：静电容 d2、负载电容：
在振荡器中与石英谐振器联合决定工作频率的有效外界电容，称为负载电
容（CL），也就是说由于石英谐振器工作在某种线路之后，所给的工作频率既 不是石英谐振器的串联谐振频率，也不是其并联谐振频率，而是两个频率之间， 这个结果是因线路的影响的缘故，就相当于在石英谐振器上串上或并上一个电 容的影响是一样的。即：
d3、等效电阻R1
石英谐振器的等效电阻是谐振器损耗机构的一个量度，它包括内摩擦，支
架的损耗，空气阻尼和电极与石英片之间的摩擦等，这些参数是很难计算的， 经验公式为（d/t＞20） R1=nK/d2f
式中，n 为泛音次数，d 为电极直径（单位英寸），f 为频率（单位MHz）
d4、品质因数Q
品质因数Q 的定义为Q=每个周期贮存的能量/每个周期失去的能量 对于石英谐振器Q=2πL1/R1=1/2πfC1R1
AT切石英谐振器可能得到最大的Qmax为：Qmax? f=K Qmax= K/f K=1531012Hz d5、参数间的关系：
石英谐振器的负载谐振频率fSL 与谐振频率f0、C0、L0、C1、CL 之间的关 系为：