P114 将用绝缘电阻表测量的（ C ）时的绝缘电阻与15s时的绝缘电阻相比，称为绝缘吸收比。
A．25s B．35s C．60s
p115 一般情况下35kV及以上且容量在4000kVA及以上的电力变压器，在常温下吸收比应不小于（ C ）。
A．1 B．1.1 C．1.3
p115 将用绝缘电阻表测量的10min时的绝缘电阻与（ C ）时的绝缘电阻相比，称为极化指数。
A．5s B．15s C．1min
P116 利用直流升压装置产生一个可以调节的试验用直流高压，施加在被试电气设备的主绝缘上，通过测量流过被试品的泄漏电流检验被试品的绝缘状况的试验称为（ A ）。
A．直流泄漏电流测量 B．直流耐压试验 C．交流耐压试验 D．绝缘吸收比试验
P117 电气设备直流泄漏电流的测量，采用（ C ）测量其大小。 A．万用表 B．毫安表 C．微安表 D．安培表
p119 在直流耐压试验中，作用在被试品上的直流电压波纹系数应不大于（ A ）。
A．3％ B．4％ C．5％ D．10％
P119 直流电压发生装置应具备足够的输出电流容量，试验时所需电流一般不超过1A。（ × ）
p120 介质损耗角正切值测量时的试验电压不超过被试设备的额定工作电压，属于（ B）。
A．破坏性试验 B．非破坏性试验 C．感应耐压试验 D．特性试验
P121 电气设备的主绝缘可看作是一个电阻和一个理想的纯电容并联组成，纯电阻流过的电流代表绝缘介质在交流电压作用下由电导电流和吸收电流引起的（ D ）。
A．空载损耗 B．短路损耗 C．无功损耗 D．有功损耗
P122 tanδ测量一般多用于35kV及以上的电力变压器、互感器、多油断路器和变压器油的绝缘试验。（ √ ）
p122 当绝缘内的缺陷不是整体分布性的，而是集中在某一小点，介质损耗正切值tanδ对这类局部缺陷的反应（ A ）。
A．不够灵敏 B．较灵敏 C．与整体分布性缺陷具有同样的灵敏度
P123 西林电桥测试tanδ时采用（ A ）时适用于被试品整体与地隔离时的测量。
A．正接线 B．反接线 C．交叉接线
p124 对于额定电压为35 kV及以上的设备，测试tanδ时一般升压至（ A ）。
A．10kV B．500kV C．110kV D．220kV
P128 采用移相法测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，如果移相不成功，试验电流与干扰电流不在同一相位，则必须重新进行移向操作。（ √ ）
P129 测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，防止外界磁场干扰的主要措施是将测量仪器尽量远离干扰源。（ √ ）
p132 tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线，则试品属于（ B ）。
A．良好绝缘 B．绝缘中存在气隙 C．绝缘受潮
p133 电气设备在运行时可能承受过电压，因此除了必须按规定采取过电压保护措施外，同时电气设备必须具备规定的（ A）。 A．绝缘裕度 B．机械强度 C．抗干扰能力
P134 工频耐压试验就是在被试变压器（或电压互感器）的低压绕组上施加交流试验电压，在低压绕组中流过励磁电流，在铁芯中产生磁通，从而在高压绕组中感应产生电动势的试验。（ × ）
P135 工频耐压试验时，测量流过被试品的电流一般采用在升压试验变压器高压线圈接地端串入一个毫安表。（ √ ）
P135 在进行感应试验时，由于试验电压一般为额定电压的两倍，因此要求试验电源频率不低于额定频率（工频）的（ A ）。 A．2倍 B．3倍 C．4倍 D．5倍
P135.29、采用150Hz作感应耐压试验时，耐压时间为（ ）。 A．10S B．20S C．30S D．40S
p135 工频耐压试验时，串接在试验变压器的高压输出端的保护电阻作用为（ AB ）。
A．降低试品闪络或击穿时变压器高压绕组出口端的过电压 B．限制短路电流 C．作测量电压用 D．分压电阻
p135 工频耐压试验时，串接在试验变压器的高压输出端的保护电阻一般采用（ c ）。
A．水电阻或瓷介电阻 B．线绕电阻或或碳膜电阻 C．水电阻或线绕电阻
P136 工频耐压试验时，测量流过被试品的电流一般在升压试验变压器高压线圈接地端串入一个（ B ）。
A．微安表 B．毫安表 C．安培表
P136 高压试验时，当间隙作为测量间隙使用时，保护电阻的阻值与试验电压的频率有关，工频试验电压时测量球隙的保护电阻按