第三单元 三极管及三极管基本放大电路
一、 填空题：（每题1分40分）
1、三极管有 个PN结组成，分别叫做 结 、 结。
2、三极管有三个电极分别称为 、 、 。用字母
、 、 表示。
3、晶体三极管有三个区，分别叫 区、 区、 区。 4、基极与发射极之间的PN结称为 结、基极与集电极之间的PN结称为 结。 5、晶体三极管的封装形式通常有 和 两种。 6、NPN型三极 管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是型半导体。 7、PNP型三极 管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是型半导体。 8、晶体三极管电流分配关系公式为 。 9、三极管的电流放大作用用四个字来概括就是 。
10、三极管起电流放大作用的外部条件是 加正向偏置电压，
加反向偏置电压。 11、对于NPN管起电流放大作用的外部条件是VC VB VE ；而对于PNP管起电流放大作用的外部条件是VC VB VE 。（填大于号或小于号） 12、晶体三极管的特性曲线主要有 特性曲线和 特性曲线。 13、晶体三极管的输入特性曲线是指 VCE一定时，描述 与 之间 关系的曲线。 14、晶体三极管的输出特性曲线是指IB 一定时，描述 与 之间 关系的曲线。 15、晶体三极管的输入特性曲线表明三极管的发射结存在着 电压，小于此电压，不会出现基极电流IB，只有VBE大于此电压时才有基极电流IB。 16、硅三极管的死区电压为 伏，锗三极管的死区电压为 伏。 17、晶体三极管的输出特性曲线表明三极管由于所加外部工作电压不同而有三种不同的工作状态即 、 、 。
18、晶体三极管各极电流之间的关系式是 。 19、硅三极管的饱和压降是指三极管处于饱和状态时， 极与 极间的
压降，其值约为 伏。若是锗管其值又为 。
20、用指针式万用表判断三极管管型和基极时用黑表笔固定接某管脚，红表笔分别接另两管脚，如果两次指针都有较大的且基本相同的偏转说明黑表笔所接管脚就是三极管的 极，且知此三极管是 型三极管 。
21、一般情况下，三极管电流放大系数随温度的升高而 。
二、判断题：（每题2分30分）
1、 三极管截止的条件是其发射结正偏。（ ） 2、 三极管有放大作用的外部条件都是VC>VB>VE。 3、、为使晶体三极管处于放大状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（ ） 4、无论哪种三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位。（ ）
5、三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e 极和c极可以互换使用。（ ）
6、晶体三极管的穿透电流I ceo的大小不随温度而变化。（ ） 7、、三极管的β值随温度的变化而变化，温度升高，β值减小。（ ） 8、某晶体三极管的I B=10μA，I E=1.31mA则I C=1.3mA。（ ）
9、对于NPN管VBE>0，VBE> VCE则该管处于饱和状态（ ） 10、、一个NPN管基极电位为+5.6V，发射极电位为+5V，则说明该三极管的发射结处于正向偏置。（ ） 11、晶体管的发射结正偏，集电极反偏时,则晶体三极管所处的状态是饱和状态。
（ ） 12、晶体三极管的两个PN结都是反偏时，三极管管处于截止状态。（ ）
13、三极管发射结反偏时，其集电极电流将增大（ ）。 14、三极管工作在饱和状态时，它的IC将随 IB的增加而减小（ ）。
15、、用万用表测的NPN型晶体三极管各电极对地的电位是VB=0.7V，VC=0.3V，VE=0V则该三极管的工作状态是饱和状态（ ）。 16、放大电路输入电阻大一些好（ ）。
17、放大电路输出电阻小一些好（ ）
18、温度升高β值会增大（ ）。
19、共集电极放大电路没有电压放大作用但有电流放大作用（ ）。 20、共集电极放大电路的输出电阻小，带载能力强（ ）。
三、简答题：（每题5分10分）
1、 三极管输出特性分为3个区域，分别称为什么区？其条件是什么？
3、 什么是三极管的穿透电流ICEO？ 4、 什么是三极管的交流放大系数？ 5、 什么是放大电路的通频带？
四、做图题及计算题（做图题5分计算题15分共20分）
1、画出固定偏置共发射极三极管放大电路的直流通路和交流通路。
2、画出分压偏置共发射极三极管放大电路。
3、在如图所示的放大电路中，已知????， VBEQ =0.7V,电路其它参数如图所示，试求： （1）、电路的静态工作点IBQ 、ICQ 、VCEQ （6分） （2）、如果??????，电路其它参数不变，再求：电路的静态工作点
IBQ 、ICQ 、VCEQ 。（6分）
此时的静态工作点是否仍合适？为什么？ （1分）
如果不合适，一般可调整什么元件的参数？应如何调整？（2分）