材料科学基础复习题及答案

2020-04-03 10:10

单项选择题:(每一道题1分) 第1章 原子结构与键合

1. 高分子材料中的C-H化学键属于 。 (A)氢键

(B)离子键

(C)共价键

2. 属于物理键的是 。 (A)共价键

(B)范德华力

(C)氢键

3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。 (A)共价键

(B)离子键

(C)金属键

第2章 固体结构

4. 面心立方晶体的致密度为 C 。 (A)100%

(B)68%

(C)74%

5. 体心立方晶体的致密度为 B 。 (A)100%

(B)68%

(C)74%

6. 密排六方晶体的致密度为 C 。 (A)100%

(B)68%

(C)74%

7. 以下不具有多晶型性的金属是 。 (A)铜

(B)锰

(C)铁

8. 面心立方晶体的孪晶面是 。 (A){112}

(B){110}

(C){111}

9. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是 。 (A)fcc

(B)bcc

(C)hcp

10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?

(A)复合强化 (B)弥散强化 (C)固溶强化

11.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是 。 (A)氮

(B)碳

(C)硼

12.以下属于正常价化合物的是 。 (A)Mg2Pb

(B)Cu5Sn

(C)Fe3C

第3章 晶体缺陷

13.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?

(A)垂直 (B)平行 (C)交叉

14.能进行攀移的位错必然是 。 (A)刃型位错

(B)螺型位错

(C)混合位错

15.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为 。 (A)肖特基缺陷

(B)弗仑克尔缺陷

(C)线缺陷

16.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 (A)肖脱基缺陷

(B)Frank缺陷

(C)堆垛层错

17.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是 (A)孪晶铜

(B)中碳钢

(C)亚共晶铝硅合金

18.大角度晶界具有____________个自由度。 (A)3

第4章 固体中原子及分子的运动

19.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随 变化。

(B)4

(C)5

(A)距离 (B)时间 (C)温度

20.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为 。 (A)原子互换机制

(B)间隙机制

(C)空位机制

21.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是 (A)间隙机制

(B)空位机制

(C)交换机制

22.原子扩散的驱动力是 。 (A)组元的浓度梯度

(B)组元的化学势梯度

(C)温度梯度

23.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则 。

(A)A组元的扩散速率大于B组元 (B)B组元的扩散速率大于A组元 (C)A、B两组元的扩散速率相同

24.下述有关自扩散的描述中正确的为 。 (A)自扩散系数由浓度梯度引起 (B)自扩散又称为化学扩散

(C)自扩散系数随温度升高而增加

第5章 材料的形变和再结晶

25.在弹性极限?e范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为

(A)包申格效应

(B)弹性后效

(C)弹性滞后

26.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是

(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 (B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 (C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向

27.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,_________具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。 (A)bcc

(B)fcc

(C)hcp

28. ,位错滑移的派-纳力越小。 (A)位错宽度越大

(B)滑移方向上的原子间距越大

(C)相邻位错的距离越大

29.已知Cu的Tm=1083?C,则Cu的最低再结晶温度约为 。 (A)200?C

(B)270?C

(C)350?C

30.已知Fe的Tm=1538?C,则Fe的最低再结晶温度约为 。 (A)350?C

(B)450?C

(C)550?C

31.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:

(A)溶质原子再扩散到位错周围 (B)位错增殖的结果 (C) 位错密度降低的结果

32.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。 (A)回复

(B)再结晶

(C)晶粒长大

33.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着______________方向移动 (A)曲率中心

(B)曲率中心相反

(C)曲率中心垂直

34.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核

(A)小角度晶界

(B)孪晶界

(C)外表面

35.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在 。 (A)回复阶段

(B)再结晶阶段

(C)晶粒长大阶段

36.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是 。 (A)点缺陷的明显下降 (B)形成亚晶界

(C)位错重新运动和分布

37.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为 。 (A)晶界合并

(B)晶界迁移

(C)晶界弓出

38.开始发生再结晶的标志是: (A)产生多变化

(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 (C)晶粒尺寸显著增大

39.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在___________部位不易形核。 (A)大角度晶界和孪晶界

第6章 单组元相图及纯晶体的凝固

40.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,体系的自由能变化 。

(B)相界面

(C)外表面


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