练习1 半导体和二极管
1. 在绝对零度（0K）时，本征半导体中________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2. 在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
3. 半导体中的载流子为_________。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴
4. N型半导体中的多子是________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
5. P型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
6. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
7. 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于________。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
8. 在下列说法中只有_________说法是正确的。
A. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
B. 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。 C. P型半导体带正电，N型半导体带负电。
D. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
9. 在下列说法中只有________说法是正确的。 A. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
B. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
C. PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
10. 当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于
11. 当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于
12. 在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，
则电路中的电流的值将是_________。 A. I = 2mA B. I < 2mA C. I > 2mA D. I = 0mA
13. 在如图所示电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V，当V1=5V、温度为20℃时，I=2
μA。若电源电压由5V增大到10V，则电路中的电流 I 约为________。 A. 10μA B. 4μA C. 2μA D. 1μA
14. 如图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的
灯是________。 A. b B. c C. a
15. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo
为________。.(设二极管的导通压降为0。) A. 5.6V B. -4.3V C. -5V D. 6V
16. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo
为_________。.(设二极管的导通压降为0。) A. -5V B. 5V C. -5.7V D. 5.7V
17. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo
为________。.(设二极管的导通压降为0.7V。) A. 0V B. -0.7V C. -1.7V D. 1V
18. 二极管的双向限幅电路如图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，
二极管为理想器件。则可画出vo的波形为________。
A. a) B. b) C. c) D. d)
19. 电路如图所示。试估算A点的电位为________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 6.7V B. 6V C. 5.7V D. -6.7V
20. 电路如图所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降VF为0.7V。） A. 6.3V B. 3.9V C. 5.7V D. 6.7V
21. 在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能
最好的是________。
管号 a) b)
加0.5V正向电压时的电流
0.5mA 5mA
加反向电压时的电流
1μA 0.1μA
5μA c) 2mA
A. a) B. b) C. c) D. d)
22. 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二
极管的正向压降VF为0.7V。） A. 0.7V B. 0.3V C. 6.3V D. 5.7V
23. 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为_________。（设二
极管的正向压降VF为0.7V。） A. 1.7V B. -1.7V C. -2.3V D. 2.3V
24. 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二
极管的正向压降VF为0.7V。） A. 5V B. -6.3V C. 6.3V D. -5.3V
25. 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出A、0两端的电压值为________。（设二
极管的正向压降VF为0.7V。） A. 1.4V B. -1.7V C. 1.7V D. -2.1V
26. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增
加10%），则电流ID _________。
A. 约为11mA（也增加10%） B. 约为21mA（增大1倍） C. 约为100mA（增大到原先
的10倍） D. 仍为10mA（基本不变）
27. 在如图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，
则电流的大小将是_________。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA D. I=0mA
28. 在图中，D的状态是______。 A. 导通 B. 截止
29. 设下图所示电路中的二极管D为理想二极管，通过计算判断它们处于________状态。 A. 导通 B. 截止
30. 设下图所示电路中的二极管D为理想二极管，通过计算判断它们处于_______状态。 A. 导通 B. 截止