1、电导调制效应——当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的
少子空穴浓度将很大。为了维持半导体的中性条件，其多子浓度（即电子浓度）也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加。
电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，约0.7—1V左右。即流过二极管的电流增大时，其内阻由于电导调制效应，反而减小，从而维持端电压基本不变。 当PN 结外加反向电压时外加电场与PN结自建电场方向相同，使少子的漂移运动大于多子的扩散运动，形成漂移电流，但由于少子的浓度很低，故反向电流很小，一般只为微安数量级。故反向偏置时，PN结呈现高阻态，几乎无电流流过，称为截止状态。
2、普通二极管，又称整流二极管（Rectifier Diode）如： IN4007 IN5408
（1）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 （2）其反向恢复时间较长，一般在以上，这在开关频率不高时并不重要。 （3）正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。
快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）
（1）恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（以下）的二极管，也简称快速二极管。 如：FR107 MUR840
（2）工艺上多采用了掺金措施 （3）有的采用PN结型结构 （4）有的采用改进的PiN结构
采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管，其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。 如HFA25TB60
从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。
肖特基二极管
a.肖特基二极管的弱点
（1）当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下
（2）反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度
b.肖特基二极管的优点
（1）反向恢复时间很短（10~40ns）
（2）正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲
（3）在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 （4）其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 如：IPS59SB20 40V/0.5A IPS74SB23 40V/1A PBYL1025 25V/10A 1N5819 40V/1A
3、P15晶闸管的特性是：在低发射极电流下? 很小，当发射极电流建立起来之后，
? 迅速增大。
阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。
开通（门极触发）：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1，
流过晶闸管的电流IA（阳极电流）趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。
静态特性
晶闸管正常工作时的特性如下：
（1）承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 （2）承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 （3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
（4）要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。
正向阻断状态：
Uak加正压，门极电流为零时，J2结反向偏置，承受电压（Uak ），器件不导通。
如果门极电流为零，且阳极电压Uak上升速度较小，在最大转折电压以下时晶闸管处于正向阻断状态。当Uak达到相应转折电压时，使J2结击穿，晶闸管进入导通状态。这种击穿具有破坏性。
随着门极电流的增大，正向电压减小，最后在IG处，器件相当于二极管导通特性。压降为1V。
2) 反向阻断状态
当Uak为负电压时同J1，J3结反向偏置，主要由J1结承受反压，器件不导通。当Uak超过反向击穿。 3） 触发导通
如果晶闸管阳极电压Uak为正值，且注入足够的门极电流，从而使器件进入饱和导通，称为晶闸管的触发导通。
（4）关断
维持电流IH：是指晶闸管稳定导通之后，逐渐减小通过器件的阳极电流IA，仍能维持住导通状态不变的最小阳极电流。维持电流大小为接近于零。当IA减小到IH以下时，晶闸管就维持不住导通，而进入阻断状态。 在导通期间，如果要求器件返回到正阻断状态必须使门极电流为零，且将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下，并保持一段时间。称为自然关断。
也可以通过加一反向电压，即Uak <0, 并保持一段时间使其关断，称为强迫关断。在实际电路中是采用阳极电压反向，减小阳极电压或增大电路阻抗等方式，使阳极电流小于维持电流，晶闸管关断。 动态特性
（1）开通过程:
延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。 上升时间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%的时间。 开通时间tgt: tgt=td+ tr
普通晶闸管延迟时间为0.5－1.5ｕs，上升时间为0.5－3.0ｕS。 延迟时间随门极电流的增大而减小。
和阳极电压的大小有关。提高阳极电压可以增大晶体管T2的电流增益。加速正反馈、缩短开通时间。
还受到外电路电感的严重影响。
4、IGBT（绝缘栅双极晶体管） GTR（电力晶体管） SCR MOSFET（场效应
管）器件各自优缺点，速度，全控，半控，电流，电压，载流子 项目名称 控制类型 自关断性 工作频率 驱动功率 开关损耗 导通损耗 电压电流等级 SCR 脉冲触发 换向关断 <1khz GTR 电流控制 自关断器件 <30khz 大 大 小 大 电子整流器 较低 有 MOS 电压控制 自关断器件 20khz－Mhz 小 小 大 最小 开关电源 处于中间 无 IGBT 电压控制 自关断器件 <40khz 小 大 小 较大 UPS变频器 最贵 有 用于UPS和变换器 P23
大 大 小 最大 典型应用场合 中频感应加热 价格 电导调制效应 其他请见书本P23—P31
最低 有 用于电子镇流器 用于开关电源
GTR：
静态特性:截止区 有源区 饱和区 失控区
GTR为电流驱动型器件，驱动功率较大，但饱和压降较小，一般应用在30-40khz以下工作频率范围内。GTR器件具有电导调制效应，GTR的开关时间在几微秒以内
MOSFET： 特点——用栅极电压来控制漏极电流
驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。
电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。
IGBT:IGBT特性和参数特点
1. IGBT开关速度高，损耗小。
2. 在相同电压和电流定额下，IGBT安全工作区比GTR大 3. IGBT通态压降比MOS低 4. IGBT输入阻抗高
5. 与MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和耐流能力可进一步提高， ，同时保持开
关频率高的特点
5、正向平均电流定义，电流有效值、平均值、波形系数
正向平均电流IF(AV)
额定电流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值
正向平均电流是按照电流的发热效应来定义，因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。
当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略
当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小 电流有效值：将一直流电与一交流电分别通过相同阻值的电阻，如果相同时间内两电流通过电阻产生的热量相同，就说这一直流电的电流值是这一交流电的有效值。 ？平均电流：某一时间内，电流的平均大小 波形系数=电流有效值/电流平均值 例1．
设流过电力二级管的电流波形如图1－1所示，其最大值为Im，试求各流形的电流平均值Id，有效值I和波形系数KF？ Im1????I=Isintd(t)?md 2?22?
Im1?2 I=???(Isint)d(t)?m?2222
波形系数K=I/Id=2.22F 100A的二级管所能送出的平均电流??ID=157?70.7AKFa
6、SCR/GTR驱动电路分析，电路各部分的作用，缓冲电路的功能、原理和作用P35
图1-31是一种典型的GTR基极驱动电路。图中VD2和VD3构成贝克钳位电路，可使GTR处于临界饱和导通。图中C2为开通加速电容。 电路分析：
A端高电平——>光耦通电流——>V2导通——>V3截止——>V4通——>V5通，V6截止——>通过C2，R5在GTR基极加入脉冲电流
A端低电平——>光耦不通——>V2截止——>V3导通——>V4，V5截止——>V6导通——>通过VD4，R5，GTR基极反向抽流，加速GTR截止
缓冲电路又称吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt电压上升率、di/dt电流上升率，减小器件的开关损耗
缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
A. 关断缓冲电路又称du/dt抑制电路，用于吸收器件的关断电压和换相过电压，抑制du/dt