8、画NMOS地线
9、画NMOS管的存底有源区（勾选参数如下图红框内）
10、画NMOS管存底的P掺杂（勾选参数如下图红框内）
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11、给NMOS管存底打金属孔（勾选参数如下图红框内）
12、把NMOS管的源极与存底相连（勾选参数如下图红框内）
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13、画PMOS管的N阱、N掺杂存底（勾选参数如下图红框内）
14、如图把PMOS的存底与源极相连（勾选参数如下图红框内）
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15、在多晶硅栅极上引出电源输入端
16、标注文字
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17、drc检查通过
五、结束语
此次试验首先通过LTspice IV软件，我们看到的是芯片内部电路的工作情况，真实的感受到了芯片内部电路的实际运行情况。其次，通过Lasi 软件对CMOS4路数据选择器的最底层物质进行设计，这样加深了学者对反相器的基本构成物质结构的学习，使学者在学习CMOS4路数据选择器的过程中更加清楚其工作的原理。，只有知道最底层的结构，才可能改变某些参数，使之达到最优的运行状态。通过本次实验，更加清晰的了解和认识了集成电路设计的每个环节，对于以后学习的巩固和优化都有很大的帮助，这样的实验学习远比浅显的书面学习要生动有趣、
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并且让人印象深刻，学习兴趣大。
六、参考文献
[1]《MOS管集成电路设计》 梁竹关,赵东风.2011.科学出版社.
[2]CMOS Analog Circuit Design.Phillip E AllenDouglas R Holberg 北京电子工业出版社，2005．P145-148 [3]集成电路版图设计软件LASI使用指南.doc [4]使用指南_LTspice.doc
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