1.0模拟电子技术期末试题

2020-04-14 23:38

1、测得某放大电路中的BJT三个电极对地电位分别为Vc= 3.6V, VB= 4V, VE=3.4V, 该BJT工作于( )。

A放大区 B 截止区 C饱和区 2、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。 A减小温漂 B增大放大倍数 C提高输入电阻 3、要求输出电压稳定,并能减小输入电阻,放大电路中应引入( )。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈

4、在双端输入的差动放大电路中,输入信号ui1和ui2分别为60mv和40mv,则其共模输入信号uic和差模输入信号uid为( )

A、100mv和20mv B、50mv和10mv C、100mv和10mv D、50mv和20mv

5、NPN管组成的共射放大电路,Q点设置太高,输出电压的波形会出现( )。 A 截止失真 B 饱和失真 C 不失真

6、对于放大电路,所谓开环是指( )。

A 无负载 B 无信号源 C 无反馈通路 7、正弦波振荡电路的起振条件是( )。 12345?F?F?|?1 C |A?|?1 ?F?|?1 B |AA |A8、 单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V,则输出电压平均值为 ( )。

A、 5V B、9V C、10V D、14V 9、 在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的( )。 A、可变电阻区 B、截止区 C、饱和区 D、击穿区 CD10、如右图,RC正弦波振荡器电路,当Rf出现短路时对电路的影响是( )。 RRfR1CA、振荡器输出电压减小 B、没任何影响 B-Uo+RCC、Af<3,振荡器停振,UO=0 D、Af>>1,运算放大器将处于饱和区工作状态,输出严重失真,近似方波

ATitle二、判断题(判断下列各题是否正确,正确在括号内打“√”,错的打“×”。每小题1分,共5分) 12345SizeBDate:File:1.集成稳压电源W7912输出电压为79伏,输出的是负压。( )

2.在基本共射放大电路中,基极电阻RB的作用是提供合适的静态偏置电流。( )

3.桥式RC正弦波振荡器中,采用两级阻容耦合放大器的主要目的是增加放大倍数,便于满足振幅平衡条件。( )

,RL4.电压放大倍数计算式为A=-β,所以,当负载电阻增大一倍时,则A也增

rbe大一倍。( )

5.稳压二极管是特殊的二极管,工作于反向击穿特性。( )

三、填空题(每空1 分,共15分)

1、在电压放大电路的上限频率点,电压增益比中频区增益下降3dB,这时在相同输入电压条件下,输出电压下降到中频区输出电压的 倍。 2、电路如图2-1所示,运放为理想器件,则输出电压 vo= 。

3、两个NPN管组成的复合管,复合管的类型为 ;其电流放大倍数等于 。

图2-1

4. 在放大器的三种组态共基、共射、共集中,同时具有电压、电流、功率放大的电路为______组态;______组态电路的带负载能力最强。

5. 要使晶体管起电流放大作用时,发射结必须_____________;集电结必须______________。

6. 引入深度负反馈后,放大电路增益只取决于___________,而与基本放大电路几乎无关。

7. 要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的___________元素

8. 场效应管与双极型晶体管比较,场效应管属于________控制器件,其输入电阻比双极型晶体管一般要_____。

9. 甲类、乙类和甲乙类功放电路中三极管的导通角θ分别

为 、 、和 。

四、计算题( 5小题,共 44分)

1、电路如图所示,求输出电压 vo的表达式。(8分)

12345D C10、如右图,RC正弦波振荡器电路,当Rf出现短路时对电路的影响是( )。 RRfR1CA、振荡器输出电压减小 B、没任何影响 B-Uo+RCC、Af<3,振荡器停振,UO=0 D、Af>>1,运算放大器将处于饱和区工作状态,输出严重失真,近似方波

ATitle二、判断题(判断下列各题是否正确,正确在括号内打“√”,错的打“×”。每小题1分,共5分) 12345SizeBDate:File:1.集成稳压电源W7912输出电压为79伏,输出的是负压。( ) 2.在基本共射放大电路中,基极电阻RB的作用是提供合适的静态偏置电流。( )

3.桥式RC正弦波振荡器中,采用两级阻容耦合放大器的主要目的是增加放大倍数,便于满足振幅平衡条件。( )

,RL4.电压放大倍数计算式为A=-β,所以,当负载电阻增大一倍时,则A也增

rbe大一倍。( )

5.稳压二极管是特殊的二极管,工作于反向击穿特性。( )

三、填空题(每空1 分,共15分)

1、在电压放大电路的上限频率点,电压增益比中频区增益下降3dB,这时在相同输入电压条件下,输出电压下降到中频区输出电压的 倍。 2、电路如图2-1所示,运放为理想器件,则输出电压 vo= 。

3、两个NPN管组成的复合管,复合管的类型为 ;其电流放大倍数等于 。

图2-1

4. 在放大器的三种组态共基、共射、共集中,同时具有电压、电流、功率放大的电路为______组态;______组态电路的带负载能力最强。

5. 要使晶体管起电流放大作用时,发射结必须_____________;集电结必须______________。

6. 引入深度负反馈后,放大电路增益只取决于___________,而与基本放大电路几乎无关。

7. 要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的___________元素

8. 场效应管与双极型晶体管比较,场效应管属于________控制器件,其输入电阻比双极型晶体管一般要_____。

9. 甲类、乙类和甲乙类功放电路中三极管的导通角θ分别

为 、 、和 。

四、计算题( 5小题,共 44分) 1、电路如图所示,求输出电压 vo的表达式。(8分)

2. 电路如图所示,试画出其传输特性。(5分)

3.已知电路参数如下图所示,FET工作点上的互导gm=1ms,设 rd>>Rd。(1)画出小信号等效电路;(2)求放大电路的电压增益Av、求输人电阻Ri、输出电阻Ro。(8分)

4. 电路如图所示,已知:UCC=24V, RC=3.3KΩ, RE=1.5KΩ, RB1=33KΩ, RB2=10KΩ, RL=5.1KΩ,晶体管的β= 66,设UBE=0.7V,试完成:(17分)


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