材料科学基础期末模拟试题集 - 图文

2020-04-15 05:20

模拟试题1

简答题(每题5分,共30分)

1. 已知fcc晶体的致密度比bcc晶体的大,请解释为什么fcc的固溶度仍比bcc的大?

答:间隙分为四面体间隙和八面体间隙。在fcc中八面体间隙较大,而bcc中因八面体间隙为扁八面体间隙,故其四面体间隙较大。因此fcc晶体能够容纳更多的溶质原子。

2. 请简述影响固溶体固溶度的因素有哪些。

答:1)原子尺寸因素:置换固溶体的溶质与溶剂原子尺寸越相近固溶度越大。 间隙固溶体的溶质原子与溶剂间隙尺寸越相近固溶度越大。 2)晶体结构因素:置换固溶体溶质溶剂的晶体结构相似固溶度越大。 3)电负性因素:溶质与溶剂的电负性越相近固溶度越大。 4)电子浓度因素:电子浓度越低固溶度越大。

3. 均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径,非均匀形核的临界形核功也等于三分之一表面能,为什么非均匀形核比均匀形核容易?

答:非均匀形核与均匀形核的临界晶核半径相等,但非均匀形核的临界晶核体积小。非均匀

形核的临界形核功也等于三分之一表面能,但非均匀形核的表面能小于均形核的表面能,即非均匀形核的临界形核功小。因此非均匀形核比较容易。

4. 原子的热运动如何影响扩散?

答:原子热运动越强烈,原子的跃迁距离增大,跃迁频率增大,跃迁几率增大,将使得扩散系数增大,即促进扩散。

5. 如何区分金属的热变形和冷变形?

答:冷、热变形温度的分界是再结晶温度。

6. 基体、增强体和界面在复合材料中各起什么作用?

答:基体:1)固定和粘附增强体2)保护增强体免受物理化学损伤3)隔离和阻断损伤。 增强体:1)承担载荷;2)阻碍基体变形。 界面:协调变形

二、作图计算题(每题10分,共40分)

1. 请分别计算简单立方晶体与面心立方晶体(100)、(110)和(111)晶面的间距。 晶面

(100)

(110)

2a2(2分)

(111)

3a3(2分)

简单立方 a(1分) 面心立方

a2(1分)

2a4(2分) 3a3(2分)

2. 已知某晶体在500℃时,每1010个原子中可以形成有1个空位,请问该晶体的空位形成能是多少?(已知该晶体的常数A=0.0539,波耳滋曼常数K=1.381×10-23 J / K)

答:

c?Aexp(??EV)kTc10?10?23?EV??kTln??[1.381?10?(500?273)]lnA0.0539?1.068?10?20?17.8?1.9?10?19J

aaa[101]?[121]?[111]633. 请判定在fcc中下列位错反应能否进行:2

答:几何条件:

2111a?11??11?b1?b2????a?b?????c?a?b?c??111?63333?26??26?

能量条件:

?a2a2?2a2a2aa2?6???2?6???3?326??

满足几何条件和能量条件,反应可以进行。

22

4. 已知三元简单共晶的投影图,见附图,

1) 请画出DF代表的垂直截面图及各区的相组成;

2) 请画出X合金平衡冷却时的冷区曲线,及各阶段相变反应。 答:

A

B

e X D F C

L

L+C

L+A+C

A+B+C

D

F

L+B+C

L

L→C

L→B+C

L→A+B+C

A+B+C

三、综合分析题

1. 如附图二所示,请分析:(22分)

1) 两水平线的反应类型,并写出反应式;

2) 分析Ab、bg′、g′d、d′、 d′h′、 h′e、eB七个区域室温下的组织组

成物( j点成分小于g点成分); 3) 分析I、II合金的平衡冷却过程,并注明主要的相变反应; 4) 写出合金I平衡冷却到室温后相组成物相对含量的表达式及合金II平衡冷却到室温后组织组成物相对含量的表达式。

t/℃ I II

δ k n j

α

g i d h

β

A b c1 g’ c2 d’ h’ e B

答:

1) 水平线kj为包晶反应:

Lj??k??n

水平线gh为共晶反应:

Ld??g??h

2) Ab: α bg′: α+βII g′d: α+(α+β)共+βII d’: (α+β)共 d′h′: β+(α+β)共+αII h′e: β+αII eB: β

3) 合金I L L→δL+δ→α

L→α

α

α→βII

ec14) 合金I相组成:

w??be?100% ; 合金II

L L→αL→α+β

α→βII

w?bc?1be?100%

合金II组织组成:

w(???)共?ig?100% ; gdw?II??初共晶前析出量??II析出比例=w?初

idbg???100%; gdbeid??初共晶前析出量??II析出量=?100%?w?IIgd

2. 请对比分析回复、再结晶、正常长大、异常长大的驱动力及力学性能变

化。(8分)

答:

回复 存储能

(主要是点阵畸

变能) 基本保持变形后

性能

再结晶 存储能 (主要是点阵畸

变能) 恢复到冷变形前

的水平

正常长大

异常长大 总界面能和表面

能 性能恶化 强度、塑性下降

驱动力 总界面能

力学性能变化

基本保持再结晶后的水平

模拟试题2

简答题(每题5分,共30分)

1.何为空间点阵?它与晶体结构有何异、同?

答:空间点阵是对晶体结构按照一定法则进行的高度数学抽象;晶体结构是对晶体的直观表示。点阵只有七大类,14种,晶体结构有无限多种。

2.请简述晶界有哪些特征?

答:晶界有自发变直的趋势;晶界引起晶体强度升高;晶界扩散比晶体内扩散速度快;晶界容易收到腐蚀;晶界容易吸附溶质原子和杂质;晶界是相变首先发生的地方。


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