单晶衬底的关键技术，实现4英寸GaN单晶衬底的规模制备；突破1～2英寸AlN单晶衬底材料制备的关键技术；开展2～4英寸AlN/Al2O3模板、其它新型模板衬底的产业化技术研究；开展第三代半导体同质外延技术研究及其在光电子和功率电子器件上的应用。
考核指标：4英寸GaN单晶衬底位错密度<5?105 cm-2，厚度≥400 μm，年产能5000片；6英寸GaN单晶衬底位错密度<5?106 cm-2，迁移率>600 cm2/V·s；4英寸GaN单晶衬底上同质外延位错密度<1?106 cm-2；研制出1～2英寸AlN单晶衬底；2～4英寸AlN模板衬底位错密度<5?107 cm-2，年产能20000片；申请发明专利30项，发表论文20篇。
5.2 第三代半导体核心关键装备
研究内容：针对第三代半导体核心关键装备开展流场、温场设计的模拟和实验优化，研制4~6英寸GaN衬底、1~2英寸AlN衬底用氢化物气相外延（HVPE）和物理气相输运（PVT）生长装备，研制高温金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长装备；探索第三代半导体材料新概念制备与测试系统；开展半导体照明生产装备信息化技术、工业系统控制技术与装备的开发与集成研究，构建半导体照明智能化工厂。
考核指标：完成国产HVPE装备的研制并实现6英寸GaN单晶衬底材料的生长验证，生长速度>100 μm/小时，厚
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度不均匀性<5%；完成国产PVT装备的研制并实现1～2英寸AlN单晶衬底材料的生长验证；研制国产高温多片MOCVD外延生长系统（2英寸15片以上），外延生长温度>1400℃；建成1条半导体照明智能化工厂示范线；申请发明专利30项，发表论文15篇。
5.3 第三代半导体核心配套材料
研究内容：开发高纯氮源、AlN前驱体、稀磁半导体用高纯前驱体等新型有机源；研发适合近紫外光、紫光和高密度能量蓝光高效激发并形成高品质白光的新型荧光粉和批量制备技术，及其在高密度能量作用下的结构变化、激发饱和及发光猝灭等性能变化规律；研发耐紫外光、高耐湿、高导热、高折射率的第三代半导体器件用关键封装材料。
考核指标：研制出2～4种新型高纯有机源，氮源、AlN前驱体等高纯有机源的纯度均达到6N；新型黄色荧光材料在100 A/cm2电流密度蓝光激发下比现有荧光材料的光效衰减幅度减少50%；开发出2～3款适合氮化镓同质外延近紫外芯片高效激发的新型蓝色和绿色荧光材料；研制出MSL 1级耐湿抗紫外封装胶；研制出导热系数为0.6 W/m·K的高导热封装胶；研制出紫外线阻隔率>98%、折射率>1.7的有机无机复合封装胶；申请发明专利30项，发表论文15篇。
6. 新型显示产业链建设与产业化示范 6.1 印刷OLED显示材料产业化示范
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研究内容：开发具有自主知识产权、性能达到国际行业商用级别的新型可溶性有机发光材料、主体材料的设计和制备技术；开发可溶性有机材料的公斤级放大合成及纯化技术；开发具有自主知识产权的印刷OLED墨水制备技术；实现印刷OLED红/绿/蓝三基色墨水的批量制备及其示范应用。
考核指标：可溶性材料（@寿命=T95@1000nits）：红光：效率> 18 cd/A，寿命>8000小时，绿光：效率> 60 cd/A，寿命> 10000 小时，蓝光：效率>5 cd/A，寿命> 1000小时；小分子印刷OLED材料合成与纯化均>20 kg/批次，纯度≥99.5%；溶剂纯化：1000升/月，纯度≥99.9%；印刷墨水: 1000升/月，粘度3-15cPs；实现批量应用。
6.2 8.5代喷墨印刷OLED显示产业化示范
研究内容：研究彩色喷墨印刷OLED显示器件制程工艺；结合8.5代喷墨印刷装备，开发彩色喷墨印刷OLED显示面板制造工程化技术，研制出55英寸彩色喷墨印刷OLED显示器件，建立8.5代电视用大尺寸彩色喷墨印刷OLED显示产业化示范。
考核指标：建成8.5代电视用大尺寸彩色OLED面板喷墨印刷制造示范基地。开发出大尺寸彩色印刷OLED显示器件，彩色印刷OLED显示尺寸≥55英寸，显示分辨率3840×2160，显示亮度>500 cd/m2，器件工作寿命>3万小时。
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6.3 量子点背光关键技术开发与应用示范
研究内容：研究量子点材料在胶体的分散工艺，研究胶体对量子点光转换效率以及水氧阻隔技术，开发大面积量子点彩色增强膜及其制造技术；研究新型量子点柔性导光技术，开发量子点调光混色技术、量子点功能膜与其它光学膜片的光学匹配技术；开发高导光效率新型量子点背光模组技术；开发基于高性能量子点背光的电视机或显示器，实现规模量产应用。
考核指标：量子点色彩增强膜：基色半峰宽R≤28 nm，G≤30 nm；（@温度65℃，湿度95%，1000小时加电老化）膜的亮度衰减≤15%，CIE坐标漂移△x和△y 均≤0.01；量子点背光模组：亮度均匀性≥90%，背光效率≥65 cd/W；基于量子点背光的电视机或显示器：尺寸≤60英寸，色域≥110% NTSC，亮度≥500 cd/m2；实现规模量产及应用示范。
6.4 柔性基板材料关键技术开发与应用示范
研究内容：开发适用于柔性和可穿戴显示的的柔性聚合物基板材料的设计及其制备技术，开发柔性OLED显示用聚合物基板的放量与纯化技术，实现基板材料的规模量产；结合柔性OLED面板制程，实现中小尺寸柔性和可穿戴OLED显示产业应用。
考核指标：玻璃化转变温度>450℃；1%热失重温度>500℃；热膨胀系数<5 ppm/K(@室温到400℃)；杨氏模
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量>2 GPa；抗拉强度>100 MPa；实现中小尺寸柔性OLED显示的批量应用。
6.5 超高密度小间距LED显示关键技术开发与应用示范 研究内容：开发适用于超高密度小间距LED显示的高性能封装材料和裸眼3D-LED显示材料，开发像素级光学设计技术、高精度驱动控制技术、智能化人机交互技术、高精度封装拼接技术、裸眼3D-LED显示技术、实时在线光电参数采集和测试评估技术，研制出高性能超高密度LED显示阵列模组，实现超高密度全彩LED大屏幕拼接显示规模生产及应用示范。
考核指标：像素点间距：产品≤0.8 mm，样机≤0.5 mm；屏幕亮度均匀度≥97%；屏幕色坐标一致性≤0.005xy；功耗≤120 w/ m2（@亮度400cd/m2）；对比度≥10000:1；灰度等级≥16 Bit；亮度200~1000 cd/ m2可调；样机阵列模组尺寸精度≤10 μm；样机阵列模组拼接精度≤20 μm；实现规模量产及应用示范。
7. 高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红绿蓝LD材料及器件关键技术与工程化研究
7.1高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红光LD材料及器件关键技术与工程化研究
研究内容：针对激光显示对红光LD的光谱、光束质量、效率、功率、寿命、成品率等严格要求，研究AlGaInP材料
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